Electronic Resource
Topological Insulator Bi2Te3: The Effect of Doping with Elements from the VIII B Column of the Periodic Table
| العنوان: | Topological Insulator Bi2Te3: The Effect of Doping with Elements from the VIII B Column of the Periodic Table |
|---|---|
| Additional Titles: | Topologický izolátor Bi2Te3: Vliv dopování prvky z VIII B skupiny periodické tabulky |
| المؤلفون: | Cichoň, Stanislav, Drchal, Václav, Horáková, Kateřina, Cháb, Vladimír, Kratochvílová, Irena, Máca, František, Čermák, Patrik, Čermák Šraitrová, Kateřina, Navrátil, Jiří, Lančok, Ján |
| بيانات النشر: | 2023-07-12T13:09:33Z 2023-07-12T13:09:33Z 2022 |
| نوع الوثيقة: | Electronic Resource |
| مستخلص: | We studied the doping of a Bi2Te3 single crystal using angle-resolved photoemission and ab initio electronic structure calculations. We find that at the surface, the typical bulk p-type conductivity is transformed to the n-type. The dopants from the VIII B column (Fe, Ru, and Os) give rise to the shift of the Dirac cone at the surface in the direction from the valence band maximum to the conductivity band minimum. The rearrangement of the Bi2Te3 surface electronic structure caused by doping is linked to the pinning of the Fermi level in the bulk gap, and its comparison with experimental data indicates that the dopants substitute Bi atoms rather than they occupy interstitial positions. Studovali jsme dopování monokrystalu Bi2Te3 pomocí úhlově-rozlišitelné fotoemise a ab initio výpočtů elektronické struktury. Zjistili jsme, že na povrchu je typická objemová vodivost p-typu transformována na n-typ. Dopanty z VIII B skupiny (Fe, Ru a Os) způsobují posun Diracova kužele na povrchu ve směru od maxima valenčního pásu k minimu vodivostního pásu. Přeskupení povrchové elektronické struktury Bi2Te3 způsobené dopováním je spojeno s přichycením Fermiho hladiny v zakazáném pásu a její srovnání s experimentálními daty ukazuje, že dopanty substituují atomy Bi spíše než by zaujímaly intersticiální pozice. |
| مصطلحات الفهرس: | topological Insulator, Bi2Te3, doping, electronic properties, transport properties, topologický izolátor, dopování, elektronické vlastnosti, transportní vlastnosti, article |
| URL: | Journal of Physical Chemistry C, volume 126, issue: 34 |
| الاتاحة: | Open access content. Open access content pouze v rámci univerzity |
| ملاحظة: | p. 14529–14536 application/pdf English |
| Other Numbers: | CZPAR oai:dk.upce.cz:10195/81153 1932-7447 10.1021/acs.jpcc.2c02724 000849805900001 2-s2.0-85137385546 39887300 1394883320 |
| المصدر المساهم: | UNIV LIBR OF THE UNIV OF PARDUBICE From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative. |
| رقم الانضمام: | edsoai.on1394883320 |
| قاعدة البيانات: | OAIster |
| الوصف غير متاح. |