GaN Single Crystals Grown by High Pressure Solution Method

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	GaN Single Crystals Grown by High Pressure Solution Method
المؤلفون:	B. Lucznik, G. Nowak, G. Teisseyre, I. Grzegory, J. M. Baranowski, K. Pakula, M. Bockowski, M. Leszczynski, M. Wroblewski, S. Krukowski, S. Porowski, T. Suski
المصدر:	The Review of High Pressure Science and Technology. 1998, 7:760
قاعدة البيانات:	J-STAGE

الوصف
تدمد:	0917639X 13481940
DOI:	10.4131/jshpreview.7.760