Academic Journal

Fabrication and characterization of AlGaN channel HFETs with selective-area regrowth ohmic contacts

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Fabrication and characterization of AlGaN channel HFETs with selective-area regrowth ohmic contacts / 選択再成長オーミックコンタクトを用いたAlGaNチャネルHFETの作製と特性評価
المؤلفون: Akiyoshi Inoue, Hiroki Harada, Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, 三好 実人, 井上 暁喜, 原田 紘希, 山中 瑞樹, 江川 孝志
المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2021, :2438
قاعدة البيانات: J-STAGE
الوصف
تدمد:24367613
DOI:10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2438