Heイオン注入によりMOVPE成長p-GaNに生成されたトラップ評価

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	Heイオン注入によりMOVPE成長p-GaNに生成されたトラップ評価 / Traps in MOVPE p-GaN produced by He ion implantation
المؤلفون:	Hikaru Yoshida, Joji Ito, Kazuyoshi Tomita, Takahide Yagi, Tetsu Kachi, Yutaka Tokuda, 伊藤成志, 八木孝秀, 冨田一義, 加地徹, 吉田光, 徳田豊
المصدر:	JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2020, :1911
قاعدة البيانات:	J-STAGE

الوصف
تدمد:	24367613
DOI:	10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1911