Academic Journal
InAlN/AlN/GaN HEMT Grown on 200 mm Si Substrate by Fast Rotating Single-Wafer MOCVD Tool
| العنوان: | InAlN/AlN/GaN HEMT Grown on 200 mm Si Substrate by Fast Rotating Single-Wafer MOCVD Tool / 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上InAlN/AlN/GaN HEMTの成膜特性 |
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| المؤلفون: | Hajime Nago, Hideshi Takahashi, Kiyotaka Miyano, Masayuki Tsukui, Yasushi Iyechika, 名古 肇, 宮野 清孝, 家近 泰, 津久井 雅之, 高橋 英志 |
| المصدر: | JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2018, :3616 |
| قاعدة البيانات: | J-STAGE |
| تدمد: | 24367613 |
|---|---|
| DOI: | 10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3616 |