AlGaN/GaN上にALD法で形成したAlONゲート絶縁膜の電気特性評価

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	AlGaN/GaN上にALD法で形成したAlONゲート絶縁膜の電気特性評価 / AlON gate dielectrics deposited by ALD for AlGaN/GaN MOS-HEMTs
المؤلفون:	Heiji Watanabe, Hongan Shih, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Satoshi Nakazawa, Takahiro Yamada, Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Tetsuzo Ueda, Yoshiharu Anda, 上田哲三, 中澤敏志, 山田高寛, 志村考功, 按田義治, 施泓安, 渡邉健太, 渡部平司, 細井卓治, 野崎幹人
المصدر:	JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3033
قاعدة البيانات:	J-STAGE

الوصف
تدمد:	24367613
DOI:	10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3033