Academic Journal

High Purity SiGe Crystal Growth by the TLZ Method

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: High Purity SiGe Crystal Growth by the TLZ Method / TLZ法による高純度SiGe結晶育成
المؤلفون: Hidehiko Yoda, Kyoichi Kinoshita, Tatsuro Maeda, Yasunori Sato, Yasutomo Arai, 佐藤 靖則, 依田 秀彦, 前田 辰郎, 木下 恭一, 荒井 康智
المصدر: JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2017, :3323
قاعدة البيانات: J-STAGE
الوصف
تدمد:24367613
DOI:10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3323