表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動
المؤلفون:	中村芳明, 山内宏哉, 泉妻宏治, 浅津宏伝, 竹内正太郎, 荒木浩司, 酒井朗, 須藤治生
المصدر:	JSAP Annual Meetings Extended Abstracts. 2013, :3344
قاعدة البيانات:	J-STAGE

الوصف
تدمد:	24367613
DOI:	10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3344