Academic Journal

4a-PS-36 Growth Processes of Cu/Si(111)observed by MEIS

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: 4a-PS-36 Growth Processes of Cu/Si(111)observed by MEIS / 4a-PS-36 中速イオン散乱分光法によるCu/Si(111)の成長過程
المؤلفون: C. Park, M. Kudo, Park C., S. Nagayama, T. Koshikawa, T. Yasue, Y. Kido, 城片 義明, 安江 常夫, 工藤 正博, 永山 進, 越川 孝範
المصدر: Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan. 1990, :451
قاعدة البيانات: J-STAGE
الوصف
تدمد:2433118X
DOI:10.11316/jpsgaiyok.1990.2.0_451_1