30p-CQ-1 GaAs : Si/AlAs超格子のアンダーソン局在(低温)

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	30p-CQ-1 GaAs : Si/AlAs超格子のアンダーソン局在(低温)
المؤلفون:	八百隆文, 徳本洋志, 松井進, 梶村皓二, 森田重雄, 阪東寛
المصدر:	Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan. 1986, :244
قاعدة البيانات:	J-STAGE

الوصف
تدمد:	24331139
DOI:	10.11316/jpsgaiyod.41.3.0_244_1