21aFJ-12 Ge/SiタイプII量子ドットにおけるオージェ再結合の熱アニール効果(21aFJ 誘電体・低次元物質・高密度励起現象,領域5(光物性))

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	21aFJ-12 Ge/SiタイプII量子ドットにおけるオージェ再結合の熱アニール効果(21aFJ 誘電体・低次元物質・高密度励起現象,領域5(光物性)) / 21aFJ-12 Thermally annealing effect to Auger recombination in Ge/Si type-II quantum dots
المؤلفون:	K. Ueda, S. Fukatsu, T. Tayagaki, Y. Kanemitsu, 上田慧, 太野垣健, 深津晋, 金光義彦
المصدر:	Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan. 2012, :717
قاعدة البيانات:	J-STAGE

الوصف
تدمد:	21890803
DOI:	10.11316/jpsgaiyo.67.2.4.0_717_4