Academic Journal
24aCD-8 The formation of the Cu precipitation in highly B-doped Si
| العنوان: | 24aCD-8 The formation of the Cu precipitation in highly B-doped Si / 24aCD-8 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の形成について(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)) |
|---|---|
| المؤلفون: | I. Yonenaga, K. Inoue, K. Kutukake, T. Ohsawa, Y. Ohno, Y. Tokumoto, 井上 海平, 大澤 隆亨, 大野 裕, 徳本 有紀, 沓掛 健太朗, 米永 一郎 |
| المصدر: | Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan. 2012, :981 |
| قاعدة البيانات: | J-STAGE |
| تدمد: | 21890803 |
|---|---|
| DOI: | 10.11316/jpsgaiyo.67.1.4.0_981_1 |