25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان:	25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程 / Nucleation and grawth of Silicon nanoholes at 4-300K.
المؤلفون:	J. Yamasaki, S. Takeda, Y. Ohno, 大野裕, 山崎順, 竹田精治
المصدر:	Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan. 2000, :803
قاعدة البيانات:	J-STAGE

الوصف
تدمد:	21890803
DOI:	10.11316/jpsgaiyo.55.1.4.0_803_3