Academic Journal

First-Principles Calculations for Epitaxial Growth on Silicon : Theory of Crystal Growth(Frontiers of Thin Film Crystal Growth for the New Millennium)

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: First-Principles Calculations for Epitaxial Growth on Silicon : Theory of Crystal Growth(Frontiers of Thin Film Crystal Growth for the New Millennium) / Siエピタキシャル成長の第一原理計算 : 結晶成長の理論(<特集>21世紀を拓く薄膜結晶成長)
المؤلفون: Atsushi Oshiyama, Sukmin Jeong, 押山 淳, 鄭 〓〓
المصدر: 日本結晶成長学会誌 / Journal of the Japanese Association for Crystal Growth. 2000, 27(4):241
قاعدة البيانات: J-STAGE
الوصف
تدمد:03856275
21878366
DOI:10.19009/jjacg.27.4_241