Periodical
Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET
| العنوان: | Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFETMeasurements results of thermal parameters of SiC JFET |
|---|---|
| المؤلفون: | Bargieł, K., Bisewski, D., Zarębski, J., Szarmach, E. |
| مصطلحات موضوعية: | tranzystor JFET, SiC JFET, parametry termiczne, węglik krzemu, JFET, thermal parameter, silicon carbide |
| الوصف: | W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystora JFET mocy, wykonanego z węglika krzemu o symbolu SJEP120R063. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej komputerowego systemu pomiarowego. Zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w rozważanym przyrządzie półprzewodnikowym na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i wybranych parametrów występujących w modelu przejściowej impedancji termicznej. In the paper results of measurements of the thermal parameters of silicon carbide JFET, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsedelectrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistor were examined. Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017) |
| نوع الوثيقة: | Article |
| اللغة: | pol |
| URL الوصول: | http://yadda.icm.edu.pl/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-51c3a74c-f084-45fb-b01f-9bebc8eba267 |
| رقم الانضمام: | edsbzt.bwmeta1.element.baztech.51c3a74c.f084.45fb.b01f.9bebc8eba267 |
| قاعدة البيانات: | BazTech |
| الوصف غير متاح. |