Моделирование лазерных диодов с длиной волны генерации 3 мкм на основе HgTe/CdHgTe гетеростуктур с множественными квантовыми ямами с учетом эффекта горячих фононов

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Моделирование лазерных диодов с длиной волны генерации 3 мкм на основе HgTe/CdHgTe гетеростуктур с множественными квантовыми ямами с учетом эффекта горячих фононов
المؤلفون: Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В., Дубинов, А. А., Алешкин, В. Я., Морозов, С. В., Гавриленко, В. И.
بيانات النشر: Изд-во Нижегородского госуниверситета
سنة النشر: 2022
المجموعة: Belarusian State University: Electronic Library BSU / Белорусский государственный университет: Электронная библиотека БГУ
مصطلحات موضوعية: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
الوصف: В работе предложен лазерный диод на основе нескольких квантовых ям HgTe с зонной структурой, обеспечивающей подавление оже-рекомбинации. Разработана модель учета горячих фононов для расчета неравновесной температуры электронов и дырок. Используя комплексную модель, учитывающую дрейф и диффузию носителей, оже-рекомбинацию и эффекты горячих фононов, показана возможность генерации при комнатной температуре на длине волны  ~ 3 мкм в гетероструктуре HgTe/Cd0.85Hg0.15Te с квантовыми ямами толщиной 2.2 нм. Найдено, что выходная мощность в импульсе может достигать 1 Вт для импульсов длительностью 1 мкс.
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: Russian
Relation: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.). В 2 т. Том 2. - С. 691-692.; https://elib.bsu.by/handle/123456789/280009
الاتاحة: https://elib.bsu.by/handle/123456789/280009
Rights: info:eu-repo/semantics/openAccess ; CC BY 4.0
رقم الانضمام: edsbas.FDFFB345
قاعدة البيانات: BASE