Academic Journal

Donor-related structure observed in the magnetoresistance of high-purity n-GaAs and InP observed under warm electron conditions and at low temperatures

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Donor-related structure observed in the magnetoresistance of high-purity n-GaAs and InP observed under warm electron conditions and at low temperatures
المؤلفون: Holmes, S N, Wang, P D, Cowan, D A, Trager, C, Stradling, R A
المصدر: Semiconductor Science and Technology ; volume 5, issue 2, page 150-158 ; ISSN 0268-1242 1361-6641
بيانات النشر: IOP Publishing
سنة النشر: 1990
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: unknown
DOI: 10.1088/0268-1242/5/2/004
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/5/2/004
http://stacks.iop.org/0268-1242/5/i=2/a=004/pdf
رقم الانضمام: edsbas.FD0B8A2D
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
DOI:10.1088/0268-1242/5/2/004