Academic Journal
稳定In/Si表面的LEED研究 ; Study of In/Si stable surfaces by LEED
العنوان: | 稳定In/Si表面的LEED研究 ; Study of In/Si stable surfaces by LEED |
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المؤلفون: | 李文杰, 姜金龙, 盖峥, 赵汝光, 杨威生 |
المساهمون: | 北京大学物理学院, 人工微结构和介观物理国家重点实验室, 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871, 北京100871 |
المصدر: | 万方 ; 知网 ; SCI |
بيانات النشر: | 物理学报 |
سنة النشر: | 2004 |
المجموعة: | Peking University Institutional Repository (PKU IR) / 北京大学机构知识库 |
مصطلحات موضوعية: | 硅表面, 铟, 稳定表面, 家族领地, silicon surfaces indium, stable surfaces family territories |
الوصف: | 利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) In和Si(313) In .此外还确定了In覆盖度在 1单层原子左右的 6个稳定In Si表面的家族领地以及In覆盖度在 1 2单层原子以下的 4个稳定In Si表面的家族领地 .特别值得注意的是Si(10 3) In的家族领地相当大 ,甚至比最稳定的Si(111) 7× 7表面的还大些 ; With the method of LEED graphic fitting, we have made a thorough study on the stability and faceting of In/Si surfaces. As a result, three new In/Si stable surfaces with less than 0.5 ML coverage, that is, Si(2 1 4)-In, Si(3 1 7)-In and Si(4 3 6)-In and two In/Si stable surfaces with about 1 ML coverage, that is, Si(1 0 1)-In and Si(3 1 3)-In, have been found. Meanwhile, the family territories of total 4 In/Si stable surfaces with less than 0.5 ML coverage and 6 with about 1 ML coverage have been roughly determined. Particulaty, the family territory of Si(1 0 3)-In is rather big, even a little bigger than that of Si(1 1 1)-In. ; http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&KeyUT=WOS:000189048100036&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&UsrCustomerID=8e1609b174ce4e31116a60747a720701 ; SCI(E) ; EI ; 中文核心期刊要目总览(PKU) ; 中国科技核心期刊(ISTIC) ; 中国科学引文数据库(CSCD) ; 0 ; 02 ; 521-526 ; 53 |
نوع الوثيقة: | journal/newspaper |
اللغة: | Chinese |
تدمد: | 1000-3290 |
Relation: | 物理学报.2004,(02),521-526.; 930074; http://hdl.handle.net/20.500.11897/86059; WOS:000189048100036 |
DOI: | 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.036 |
الاتاحة: | https://hdl.handle.net/20.500.11897/86059 https://doi.org/10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.036 |
رقم الانضمام: | edsbas.F9E843EB |
قاعدة البيانات: | BASE |
تدمد: | 10003290 |
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DOI: | 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.036 |