Academic Journal
The influence of impurity concentration on exciton photoluminescence in GaAs and InP
| العنوان: | The influence of impurity concentration on exciton photoluminescence in GaAs and InP |
|---|---|
| المؤلفون: | Pen, H F, Dreissen, F A J M, Olsthoorn, S M, Giling, L J |
| المصدر: | Semiconductor Science and Technology ; volume 7, issue 11, page 1400-1406 ; ISSN 0268-1242 1361-6641 |
| بيانات النشر: | IOP Publishing |
| سنة النشر: | 1992 |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| اللغة: | unknown |
| DOI: | 10.1088/0268-1242/7/11/020 |
| الاتاحة: | http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/7/11/020 http://stacks.iop.org/0268-1242/7/i=11/a=020/pdf |
| رقم الانضمام: | edsbas.F4B834A1 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.1088/0268-1242/7/11/020 |
|---|