Academic Journal
Pushing the thickness limit of the giant Rashba effect in ferroelectric semiconductor GeTe
| العنوان: | Pushing the thickness limit of the giant Rashba effect in ferroelectric semiconductor GeTe |
|---|---|
| المؤلفون: | Croes, Boris, Llopez, Alexandre, Tagne-Kaegom, Calvin, Chiogo, Bodry, Tegomo, Kierren, Bertrand, Müller, Pierre, Curiotto, Stefano, Le Fèvre, Patrick, Bertran, François, Saúl, Andrés, Fagot-Revurat, Yannick, Leroy, Frédéric, Cheynis, Fabien |
| المساهمون: | Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg (IPCMS), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Réseau nanophotonique et optique, Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Jean Lamour (IJL), Institut de Chimie - CNRS Chimie (INC-CNRS)-Université de Lorraine (UL)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-22-CE08-0023,FETh,Contrôle ferroélectrique de la conduction électrique et thermique à l'échelle nanométrique dans GeTe(2022), ANR-11-IDEX-0001,Amidex,INITIATIVE D'EXCELLENCE AIX MARSEILLE UNIVERSITE(2011) |
| المصدر: | ISSN: 1530-6984. |
| بيانات النشر: | HAL CCSD American Chemical Society |
| سنة النشر: | 2024 |
| المجموعة: | Université de Rennes 1: Publications scientifiques (HAL) |
| مصطلحات موضوعية: | Ferroelectric Rashba Semiconductors, GeTe, Rashba spin-texture, quantum well, transport properties, size effect, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat] |
| الوصف: | International audience ; Ferroelectric Rashba semiconductors (FERSCs) such as α-GeTe are promising candidates for energy-efficient information technologies exploiting spin–orbit coupling (SOC) and are termed spin–orbitronics. In this work, the thickness limit of the Rashba-SOC effect in α-GeTe films is investigated. We demonstrate, using angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) and first-principles calculations performed on pristine GeTe, that down to 1 nm, GeTe(111) films on a Sb-covered Si(111) substrate continuously exhibit a giant Rashba effect characterized, at 1 nm, by a constant of 5.2 ± 0.5 eV·Å. X-ray photoemission spectroscopy (XPS) allows the understanding of the persistence of the Rashba effect by evidencing a compensation of Ge vacancy defects resulting from the insertion of Sb interfacial atoms in the early stage growth of the GeTe(111) films. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| اللغة: | English |
| DOI: | 10.1021/acs.nanolett.4c03281 |
| الاتاحة: | https://hal.science/hal-04735122 https://hal.science/hal-04735122v1/document https://hal.science/hal-04735122v1/file/RashbaInUltrathinGeTe_HAL.pdf https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c03281 |
| Rights: | info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| رقم الانضمام: | edsbas.E549517D |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.1021/acs.nanolett.4c03281 |
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