The effect of dielectric stress on the electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs)

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: The effect of dielectric stress on the electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs)
المؤلفون: Tan, W.S., Hill, G., Houston, P.A., Low, M.W., Parbrook, P.J., Airey, R.J.
المصدر: The 10th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications ; page 130-135
بيانات النشر: IEEE
سنة النشر: 2003
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/edmo.2002.1174943
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/edmo.2002.1174943
http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/8328/25995/01174943.pdf?arnumber=1174943
رقم الانضمام: edsbas.E0562AEC
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
DOI:10.1109/edmo.2002.1174943