第一原理計算と高圧合成による新規窒化物半導体の探索

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: 第一原理計算と高圧合成による新規窒化物半導体の探索
المؤلفون: 日沼洋陽, 畠山泰典, Taisuke Hatakeyama, 熊谷悠, Yu Kumagai, バートン・リー, 佐藤光, Hikaru Sato, 村場善行, Yoshinori Muraba, 飯村壮史, Soshi Iimura, 平松秀典, hidenori hiramatsu, 田中功, 細野秀雄, HIDEO HOSONO, 大場史康, Fumiyasu Oba
سنة النشر: 2016
المجموعة: T2R2 (Tokyo Tech Research Repository) / 東京工業大学リサーチリポジトリ
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: Japanese
Relation: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100734345; oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50354502
الاتاحة: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100734345
رقم الانضمام: edsbas.D3F87975
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