التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Концентрация и температура электронов в плазме диффузного разряда, формируемого при высоких перенапряжениях в плотных газах |
| المؤلفون: |
Сорокин, Д. А., Ломаев, М. И., Кривоногова, К. Ю. |
| المصدر: |
Известия Томского политехнического университета |
| بيانات النشر: |
Томский политехнический университет |
| سنة النشر: |
2010 |
| المجموعة: |
Tomsk Polytechnic University (TPU): Electronic Archive / Томский политехнический университет: Электронный архив TPU |
| مصطلحات موضوعية: |
диффузный разряд, электроны, концентрация, температура, метод штарковского уширения, аппаратные функции, плазма гелия, плазма азота, плотные газы, электронная плотность |
| الوصف: |
Методом штарковского уширения определены средние за время импульса значения концентрации электронов в плазме диффузного разряда в гелии при давлениях от 1 до 6 атм. Представлена временная динамика электронной плотности в разрядной плазме гелия при атмосферном давлении. Для плазмы разряда в гелии при давлении 1 атм максимальное значение концентрации электронов составило ~5,4.1015 см-3. В разрядной плазме азота посредством методики, основанной на столкновительно-радиационной модели плазмы, оценено среднее за время импульса значение температуры электронов, которое составляет ~2,3 эВ, а также ее временная динамика. |
| نوع الوثيقة: |
article in journal/newspaper |
| وصف الملف: |
application/pdf |
| اللغة: |
Russian |
| تدمد: |
1684-8519 |
| Relation: |
Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2010. Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика; Сорокин Д. А. Концентрация и температура электронов в плазме диффузного разряда, формируемого при высоких перенапряжениях в плотных газах / Д. А. Сорокин, М. И. Ломаев, К. Ю. Кривоногова // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2010. — Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика. — [С. 80-85].; http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3058 |
| الاتاحة: |
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3058 |
| Rights: |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| رقم الانضمام: |
edsbas.CCEE23C4 |
| قاعدة البيانات: |
BASE |