Conference
Characterizing and Modeling Synchronous Clock-Glitch Fault Injection
| العنوان: | Characterizing and Modeling Synchronous Clock-Glitch Fault Injection |
|---|---|
| المؤلفون: | Marotta, Amélie, Lashermes, Ronan, Bouffard, Guillaume, Sentieys, Olivier, Dafali, Rachid |
| المساهمون: | Architectures matérielles spécialisées pour l’ère post loi-de-Moore (TARAN), Inria Rennes – Bretagne Atlantique, Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-ARCHITECTURE (IRISA-D3), Institut de Recherche en Informatique et Systèmes Aléatoires (IRISA), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Bretagne Sud (UBS)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom Paris (IMT)-Institut Mines-Télécom Paris (IMT)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut Mines-Télécom Paris (IMT)-Institut Mines-Télécom Paris (IMT)-Institut de Recherche en Informatique et Systèmes Aléatoires (IRISA), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Bretagne Sud (UBS)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom Paris (IMT)-Institut Mines-Télécom Paris (IMT), Service Expérimentation et Développement (SED Rennes ), Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut de Recherche en Informatique et Systèmes Aléatoires (IRISA), Laboratoire de Haute Sécurité (LHS - Inria), Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Direction générale de l'Armement (DGA), Agence nationale de la sécurité des systèmes d'information (ANSSI), DGA Maîtrise de l'information (DGA.MI), Direction générale de l'Armement (DGA) |
| المصدر: | COSADE 2024 - Constructive Side-Channel Analysis and Secure Design ; https://inria.hal.science/hal-04549548 ; COSADE 2024 - Constructive Side-Channel Analysis and Secure Design, Apr 2024, Gardanne, France. pp.3-21, ⟨10.1007/978-3-031-57543-3_1⟩ |
| بيانات النشر: | HAL CCSD Springer Nature Switzerland |
| سنة النشر: | 2024 |
| المجموعة: | Université de Rennes 1: Publications scientifiques (HAL) |
| مصطلحات موضوعية: | Fault Injection, Clock Glitch, Physical Fault Model, [INFO]Computer Science [cs] |
| جغرافية الموضوع: | Gardanne, France |
| الوصف: | International audience ; In the realm of FI, EMFI attacks have garnered significant attention, particularly for their effectiveness against embedded systems with minimal setup. These attacks exploit vulnerabilities with ease, underscoring the importance of comprehensively understanding EMFI. Recent studies have highlighted the impact of EMFI on PLL, uncovering specific clock glitches that induce faults. However, these studies lack a detailed explanation of how these glitches translate into a specific fault model.Addressing this gap, our research investigates the physical fault model of SCG, a clock glitch injection mechanism likely to arise from EMFI interactions within the clock network. Through an integrated approach combining experimental and simulation techniques, we critically analyze the adequacy of existing fault models, such as the Timing Fault Model and the Sampling Fault Model, in explaining SCG. Our findings reveal specific failure modes in DFF, contributing to a deeper understanding of EMFI effects and aiding in the development of more robust defensive strategies against such attacks. |
| نوع الوثيقة: | conference object |
| اللغة: | English |
| DOI: | 10.1007/978-3-031-57543-3_1 |
| الاتاحة: | https://inria.hal.science/hal-04549548 https://inria.hal.science/hal-04549548v1/document https://inria.hal.science/hal-04549548v1/file/main.pdf https://doi.org/10.1007/978-3-031-57543-3_1 |
| Rights: | http://creativecommons.org/licenses/by/ ; info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| رقم الانضمام: | edsbas.C875D43F |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.1007/978-3-031-57543-3_1 |
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