التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Electrical, Optical and Luminescent Properties of Zinc Oxide Single Crystals ; Електричні, оптичні та люмінесцентні властивості монокристалів оксиду цинку |
| المؤلفون: |
Markevich, I. V., Borkovska, L. V., Venger, Ye. F., Korsunska, N. O., Kushnirenko, V. I., Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Khomenkova, L. Yu. |
| المصدر: |
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 13 No. 1 (2018): Reviews; 57 ; Український фізичний журнал; Том 13 № 1 (2018): Огляди; 57 ; 2071-0194 ; 2071-0186 |
| بيانات النشر: |
Publishing house "Academperiodika" |
| سنة النشر: |
2018 |
| مصطلحات موضوعية: |
ZnO, люмiнесценцiя, дефекти, фотопровiднiсть, дрейф мiжвузлового цинку Zni |
| الوصف: |
This review includes the results of investigations of the electrical, photoelectrical, optical, and luminescent properties of undoped single crystals of ZnO grown by the gas-cycle method. It is shown that the high conductivity of ZnO is caused by interstitial Zn atoms (Zni) that are shallow donors and are mobile at room temperature. It is found that the Zni relocation under intrinsic fields results in the appearance of the residual conductivity, shift of the optical absorption edge to longer wavelengths, and distortion of the exciton luminescence spectra. It is shown that the thin near-surface layer with high n-type conductivity arises due to the accumulation of Zni donors near the crystal surface due to their drift in the electric field of a depleted band caused by the oxygen adsorption. Based on the comparison of the exciton luminescence spectra and excitation spectra of the defect-related emission, it is proposed that the main excitation mechanism of the latter consists in the non-radiative recombination of excitons on the defect centers accompanied by the energy transfer to electrons located on these centers. The thermoluminescence of ZnO excited with the Joule heat release has been investigated. It is shown that this effect is caused by the recombination of equilibrium carriers produced by the heating through lattice defects. ; Огляд присвячено результатам, отриманим при дослiдженнi електричних, фотоелектричних, оптичних i люмiнесцентних характеристик нелегованих монокристалiв оксиду цинку, вирощених газофазним методом. Показано, що за високу електропровiднiсть ZnO вiдповiдають атоми мiжвузлового цинку Zni – мiлкi донори, якi мають помiтну рухливiсть в кристалiчнiй ґратцi при температурах, близьких до кiмнатної. Виявлено, що перелокалiзацiя атомiв Zni пiд дiєю внутрiшнiх полiв призводить до появи залишкової провiдностi, зсуву краю оптичного поглинання у довгохвильовий бiк i спотворенню спектра екситонної люмiнесценцiї. Доведено, що тонкий приповерхневий шар з високою електропровiднiстю утворюється завдяки ... |
| نوع الوثيقة: |
article in journal/newspaper |
| وصف الملف: |
application/pdf |
| اللغة: |
Ukrainian |
| Relation: |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018235/690; https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018235 |
| الاتاحة: |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018235 |
| Rights: |
Copyright (c) 2018 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| رقم الانضمام: |
edsbas.BEDCB956 |
| قاعدة البيانات: |
BASE |