التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Investigation of temperature dependent current-voltage characteristics of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films ; Исследование температурных зависимостей вольт-амперных характеристик тонкопленочных конденсаторов на основе твердых растворов титаната бария стронция |
| المؤلفون: |
P. Y. Belyavskiy, V. V. Plotnikov, П. Ю. Белявский, В. В. Плотников |
| المصدر: |
Journal of the Russian Universities. Radioelectronics; № 1 (2016); 38-43 ; Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника; № 1 (2016); 38-43 ; 2658-4794 ; 1993-8985 |
| بيانات النشر: |
Saint Petersburg Electrotechnical University |
| سنة النشر: |
2016 |
| المجموعة: |
Journal of the Russian Universities. Radioelectronics / Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника |
| مصطلحات موضوعية: |
эмиссия Шотки, Dielectric, Conduction Mechanisms, Schottky Emission, диэлектрик, механизмы проводимости |
| الوصف: |
The Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) thin films were deposited via radio frequency cathode sputtering on sapphire (α-Al2O3) and gadolinium gallium garnet (GGG) substrates. The effect of substrate material on the leakage current and mechanism of conductivity in BST stacks has been studied by tempera-ture dependent (300…400 K) current-voltage characteristics. Lower leakage currents of BST/α-Al2O3 thin films were achieved compared with that of BST/GGG thin films, especially in the high field re-gion. The conduction mechanism of the deposited films is found to be of Schottky emission type for a wide range of applied fields on both substrates. Schottky barrier height, effective Richardson con-stant, effective mass of conduction electrons in dielectric, and dynamic dielectric constant within the bounds of thermionic emission theory were found. ; Методом реактивного высокочастотного катодного распыления синтезированы пленки Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) на подложках из сапфира и гадолиний-галлиевого граната. Проведен ана-лиз вольт-амперных характеристик в температурном диапазоне с целью выяснения природы то-ков утечки в синтезированных диэлектриках. Установлено, что формирование токов утечки в указанных пленках происходит благодаря процессу переноса носителей заряда по типу эмиссии Шотки. Вольт-амперным методом определен ряд фундаментальных величин пленок BST: высота барьера Шотки; эффективная масса носителей заряда и динамическая диэлектрическая прони-цаемость. Установлено влияние материала подложки на электрофизические свойства пленок BST. |
| نوع الوثيقة: |
article in journal/newspaper |
| وصف الملف: |
application/pdf |
| اللغة: |
Russian |
| Relation: |
https://re.eltech.ru/jour/article/view/79/84; Пятаков А. П., Звездин А. К. Магнитоэлек-трические материалы и мультиферроики // Успехи физ. наук. 2012. Т. 182, № 6. С. 593-620.; Чопра К. Л. Электрические явления в тон-ких пленках / пер. с англ. М.: Мир, 1972. 424 с.; Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.; Liedtke R., Grossmann M., Waser R. Capaci-tance and Admittance Spectroscopy Analysis of Hy-drogen-degraded Pt/(Ba, Sr)TiO3/Pt Thin-Film Ca-pacitors // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77, № 13. P. 2045-2047.; Chang S.-T., Lee J. Y. Electrical Conduction Mechanism in High-Dielectric-Constant (Ba0.5Sr0.5)TiO3 Thin Films // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80, № 4. P. 655-657.; Leakage Mechanism of (Ba0.7Sr0.3)TiO3 Thin Films in the Low-Temperature Range / H. Yang, K. Tao, B. Chen et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81, № 25. P. 4817-4819.; Effect of Pt Bottom Electrode Texture Selec-tion on the Tetragonality and Physical Properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 Thin Films Produced by Pulsed Laser Deposition / J. P. B. Silva, K. C. Sekhar, A. Almeida, J. A. Moreira, J. Martín-Sánchez, M. Pereira, A. Khodorov, M. J. M. Gomes // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 112, iss. 4. P. 044105.; Effect of Concurrent Mg/Nb-doping on Dielec-tric Properties of Ba0.45Sr0.55TiO3 Thin Films / F. Alema, M. Reich, A. Reinholz, K. Pokhodnya // J. Appl. Phys. 2013. Vol. 114, iss. 8. P. 084102.; Izyumskaya N., Alivov Ya., Morkoc H. Ox-ides, Oxides, and More Oxides: High-Κ Oxides, Fer-roelectrics, Ferromagnetics, and Multiferroics // Crit. Rev. Solid. State and Mat. Science. 2009. Vol. 34, iss. 3-4. P. 89-179.; Wang Y.-P., Tseng T.-Y. Electronic Defect and Trap-Related Current of (Ba0.4Sr0.6)TiO3 Thin Films // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81, № 10. P. 6762-6766.; Deuterium-Induced Degradation of (Ba, Sr)TiO3 Films / J.-H. Ahn, P. C. McIntyre, L. W. Mirkarimi, S. R. Gilbert, J. Amano, M. Schulberg // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77, № 9. P. 1378-1380.; Improved Dielectric And Electrical Proper-ties of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Using Pt/LaNiO3 as the Top-Electrode Material / Y. H. Gao, J. L. Sun, J. H. Ma, X. J. Meng, J. H. Chu // Appl. Phys. A. 2008. Vol. 91. P. 541-544.; Enhanced Leakage Current Performance and Conduction Mechanisms of Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7/Ba0.5Sr0.5TiO3 Bilayered Thin Films / R. Li, S. Jiang, L. Gao, Y. Li // J. Appl. Phys. 2012. Vol. 112, iss. 7. P. 074113.; Зи С. Физика полупроводниковых прибо-ров / пер. с англ. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 с.; https://re.eltech.ru/jour/article/view/79 |
| الاتاحة: |
https://re.eltech.ru/jour/article/view/79 |
| Rights: |
Any authors publishing their work in this journal agree to the following:The authors reserve the copyright to the work and grant the journal the right of first publication of the work under the terms of the Creative Commons Attribution License, which allows others to distribute this work with the obligatory preservation of references to the authors of the original work and the original publication in this journal.The authors reserve the right to conclude separate contractual arrangements regarding the non-exclusive distribution of the work version in the form published here (for example, posting it in the respective institute’s repository, publication in a book), with reference to its original publication in this journal.Authors have the right to post their work on the Internet (for example, in the institute’s repository or personal website) before and during the process of reviewing it by this journal, as this can lead to a productive discussion and more references to this work (See The Effect of Open Access ). ; Авторы, публикующие в данном журнале, соглашаются со следующим:Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договорённости, касающиеся не-эксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге), со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access). |
| رقم الانضمام: |
edsbas.BC18814F |
| قاعدة البيانات: |
BASE |