Two-dimensional dopant profile characterization for MCT and IGBT structures

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Two-dimensional dopant profile characterization for MCT and IGBT structures
المؤلفون: Dallmann, G., Feudel, T., Syhre, H., Lendenmann, H., Fichtner, W.
المصدر: Proceedings of the 6th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics ; volume 93 1, page 305-308
بيانات النشر: Hartung-Gorre Verlag
سنة النشر: 2002
نوع الوثيقة: conference object
اللغة: unknown
DOI: 10.1109/ispsd.1994.583749
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1109/ispsd.1994.583749
http://xplorestaging.ieee.org/ielx2/4460/12642/00583749.pdf?arnumber=583749
رقم الانضمام: edsbas.B90511DD
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
DOI:10.1109/ispsd.1994.583749