キサントゲンサン キンゾクエン オ モチイタ ヒ シンクウ プロセス ニヨル CuInS_2 ハクマク ノ サクセイ ; キサントゲン酸金属塩を用いた非真空プロセスによるCuInS_2薄膜の作製 ; Non-vacuum Process of CuInS_2 Thin Films From Metal Xanthate Precursors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: キサントゲンサン キンゾクエン オ モチイタ ヒ シンクウ プロセス ニヨル CuInS_2 ハクマク ノ サクセイ ; キサントゲン酸金属塩を用いた非真空プロセスによるCuInS_2薄膜の作製 ; Non-vacuum Process of CuInS_2 Thin Films From Metal Xanthate Precursors
المؤلفون: 持原, 晶子, 15077, モチハラ, アキコ, Mochihara, Akiko, 吉野, 賢二, 12061, ヨシノ, ケンジ, 80284826, Yoshino, Kenji, 川野, 美延, 23081, カワノ, ミノブ, Kawano, Minobu, 尾込, 裕平, 14967, オゴミ, ユウヘイ, 沈, 青, 14968, Sheng, Qing, 豊田, 太郎, 23169, トヨダ, タロウ, Toyoda, Taro, 早瀬, 修二, 14970, ハヤセ, シュウジ, Pandey, Shyam S., 14971, Ogomi, Yuhei, 14975, 14976, Shen, Qing, 14977, Hayase, Shuzi, 14979
بيانات النشر: 宮崎大学工学部
Faculty of Engineering, University of Miyazaki
سنة النشر: 2014
المجموعة: University of Miyazaki: Dspace
مصطلحات موضوعية: CuInS_2, Metal xanthate, Non-vacuum process
الوصف: Cu–III–VI_2 compounds have attracted considerable interest because of their possible photovoltaic applications. The ternary semiconductor copper indium sulfide (CuInS_2) is one of the promising materials for thin film solar cells because its bandgap energy of 1.5 eV and the absorption coefficient of 10^5 cm^<-1>. CuInS_2 thin film on glass substrate is grown by dipping-coat from Cu- and In-xanthate solution as precursor materials. X-ray diffraction pattern indicated that peaks of CuInS_2 (112) are observed at 150℃. This temperature is lowest in non-vacuum process of CuInS_2 film. The all CuInS_2 films are p-type conductivity by thermo prove analysis because Cu atom in In site defects are dominant in the samples from EPMA results. ; departmental bulletin paper
نوع الوثيقة: other/unknown material
وصف الملف: application/pdf
اللغة: Japanese
تدمد: 05404924
Relation: 宮崎大学工学部紀要; 43; 81; 84; Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki; AA00732558; http://hdl.handle.net/10458/4980
الاتاحة: https://miyazaki-u.repo.nii.ac.jp/record/2837/files/engineering43_81-84.pdf
http://hdl.handle.net/10458/4980
https://miyazaki-u.repo.nii.ac.jp/records/2837
رقم الانضمام: edsbas.B46EF0D7
قاعدة البيانات: BASE