Academic Journal
Surface electronic properties of GaSe-covered Si(111) upon UHV thermal desorption of the GaSe epitaxial layer
| العنوان: | Surface electronic properties of GaSe-covered Si(111) upon UHV thermal desorption of the GaSe epitaxial layer |
|---|---|
| المؤلفون: | Reqqass, H., Lacharme, J.-P., Sébenne, C.A., Eddrief, M., Le Thanh, V. |
| المصدر: | Applied Surface Science ; volume 92, page 357-361 ; ISSN 0169-4332 |
| بيانات النشر: | Elsevier BV |
| سنة النشر: | 1996 |
| المجموعة: | ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref) |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| اللغة: | English |
| DOI: | 10.1016/0169-4332(95)00255-3 |
| الاتاحة: | http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(95)00255-3 https://api.elsevier.com/content/article/PII:0169433295002553?httpAccept=text/xml https://api.elsevier.com/content/article/PII:0169433295002553?httpAccept=text/plain |
| Rights: | https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/ |
| رقم الانضمام: | edsbas.AA3C8286 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.1016/0169-4332(95)00255-3 |
|---|