Academic Journal
he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied
| العنوان: | he characteristic parameters of charge carriers in the p-type Si0.2Ge0.8 quantum well with two subbands occupied |
|---|---|
| المؤلفون: | Berkutov, I. B., Andrievskii, V. V., Komnik, Yu. F., Kolesnichenko, Yu. A., Berkutova, A. I., Mironov, O. A., Gleyzer, N. V. |
| المصدر: | Вестник Харьковского национального университета имени В. Н. Каразина. Серия «Физика»; № 23 (2015); 52-56 ; Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика»; № 23 (2015); 52-56 ; 2073-3771 ; 2222-5617 |
| بيانات النشر: | Вестник Харьковского национального университета имени В. Н. Каразина. Серия «Физика» Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика» |
| سنة النشر: | 2016 |
| المجموعة: | Karazin Kharkiv National University: E-Journals / Каразінський університет: Наукова періодика Каразінського університету |
| مصطلحات موضوعية: | magnetoresistance, weak localization, магнитосопротивление, слабая локализация, магнітоопір, слабка локалізація |
| الوصف: | The kinetic characteristics of the two-dimensional system of charge carriers in the p-type heterostructure Si0.7Ge0.3/Si0.2Ge0.8/ Si0.7Ge0.3 in condition of two subbands occupied has been calculated. The density, mobility and the effective mass of the charge carriers in each subbands have been estimated. The effects of weak localization of charge carriers under the condition of strong spin-orbit influence have been analyzed. The phase relaxation time and the spin - orbit interaction of the charge carriers, as well as the value of spin splitting have been found. The results are in good agreement with available theoretical models. ; Представлен расчет кинетических характеристик двумерной системы носителей заряда в дырочной гетероструктуре Si0.7Ge0.3/Si0.2Ge0.8/Si0.7Ge0.3 в условиях заселения двух квантовых уровней. Получены значения концентрации, подвижности и эффективной массы носителей заряда на каждом из квантовых уровней. Проведен анализ эффектов слабой локализации носителей заряда в условиях сильных спин-орбитальных эффектов. Получены значения времен фазовой релаксации и спин – орбитального взаимодействия носителей заряда, а также величины спинового расщепления. Полученные результаты хорошо соответствуют имеющимся теоретическим моделям. ; Подано розрахунок кінетичних характеристик двовимірної системи носіїв заряду в дірковій гетероструктурі Si0.7Ge0.3/Si0.2Ge0.8/ Si0.7Ge0.3 за умов заселення двох квантових рівнів. Отримано значення концентрації, рухливості і ефективної маси носіїв заряду на кожному з квантових рівнів. Проведено аналіз ефектів слабкої локалізації носіїв заряду в умовах сильних спін-орбітальних ефектів. Отримано значення часів фазової релаксації і спін - орбітальної взаємодії носіїв заряду, а також величини спінового розщеплення. Отримані результати добре відповідають наявним теоретичним моделям. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | Ukrainian |
| Relation: | http://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775/7248; http://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775 |
| الاتاحة: | http://periodicals.karazin.ua/physics/article/view/7775 |
| Rights: | (c) 2015 Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Фізика» |
| رقم الانضمام: | edsbas.A7D2EA8A |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| الوصف غير متاح. |