التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
一种高功率半导体芯片及其制备方法 |
| المؤلفون: |
谭少阳, 王俊, 徐红, 闵大勇 |
| المساهمون: |
苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| سنة النشر: |
2019 |
| المجموعة: |
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics: OPT OpenIR (Chinese Academy of Sciences, CAS) / 中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库 |
| مصطلحات موضوعية: |
H01S5/12 |
| جغرافية الموضوع: |
中国 |
| الوصف: |
本发明公开了一种高功率半导体芯片及其制备方法，该半导体芯片包括：自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，侧向光栅层包括多组侧向光栅，多组侧向光栅沿第一方向依次设置，多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，多条光栅沿第二方向排布，第一方向与第二方向相交。通过在波导内设置侧向光栅层，提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗，达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的；设置多组周期不同的光栅，抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射，达到抑制侧向光强度周期振荡的作用，消除远场双峰。 |
| نوع الوثيقة: |
other/unknown material |
| اللغة: |
unknown |
| Relation: |
http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92440 |
| الاتاحة: |
http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92440 |
| Rights: |
cn.org.cspace.api.content.CopyrightPolicy@51f64052 |
| رقم الانضمام: |
edsbas.98C149DE |
| قاعدة البيانات: |
BASE |