Academic Journal

Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
المؤلفون: Хабибуллин, Р. А., Маремьянин, К. В., Пономарев, Д. С., Галиев, Р. Р., Зайцев, А. А., Данилов, А. И., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Клочков, А. Н., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В., Морозов, С. В., Гавриленко, В. И.
بيانات النشر: ФТИ им. А.Ф. Иоффе
سنة النشر: 2021
المجموعة: Belarusian State University: Electronic Library BSU / Белорусский государственный университет: Электронная библиотека БГУ
مصطلحات موضوعية: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
الوصف: Материалы XXV Международного симпозиума ”Нанофизика и наноэлектроника“ ; Оптимизирована зонная структура квантово-каскадного лазера с активным модулем на основе трех квантовых ям GaAs/Al0.18Ga0.82As для высокотемпературной генерации на частоте ∼ 3.3 ТГц. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена гетероструктура с толщиной активной области 10 мкм и отклонением толщины активного модуля от номинального < 1%. Изготовленные терагерцовые квантово-каскадные лазеры с двойным металлическим волноводом позволяют получить генерацию вплоть до температуры 125 K. Исследования вольт-амперной характеристики, зависимости интегрального излучения от тока и спектров генерации показали хорошее согласие с рассчитанными характеристиками.
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: Russian
Relation: Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, вып. 11, с. 989; https://elib.bsu.by/handle/123456789/280245
الاتاحة: https://elib.bsu.by/handle/123456789/280245
Rights: info:eu-repo/semantics/openAccess ; CC BY 4.0
رقم الانضمام: edsbas.93A1EE04
قاعدة البيانات: BASE