التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: |
Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K |
المؤلفون: |
Хабибуллин, Р. А., Маремьянин, К. В., Пономарев, Д. С., Галиев, Р. Р., Зайцев, А. А., Данилов, А. И., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Клочков, А. Н., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В., Морозов, С. В., Гавриленко, В. И. |
بيانات النشر: |
ФТИ им. А.Ф. Иоффе |
سنة النشر: |
2021 |
المجموعة: |
Belarusian State University: Electronic Library BSU / Белорусский государственный университет: Электронная библиотека БГУ |
مصطلحات موضوعية: |
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
الوصف: |
Материалы XXV Международного симпозиума ”Нанофизика и наноэлектроника“ ; Оптимизирована зонная структура квантово-каскадного лазера с активным модулем на основе трех квантовых ям GaAs/Al0.18Ga0.82As для высокотемпературной генерации на частоте ∼ 3.3 ТГц. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена гетероструктура с толщиной активной области 10 мкм и отклонением толщины активного модуля от номинального < 1%. Изготовленные терагерцовые квантово-каскадные лазеры с двойным металлическим волноводом позволяют получить генерацию вплоть до температуры 125 K. Исследования вольт-амперной характеристики, зависимости интегрального излучения от тока и спектров генерации показали хорошее согласие с рассчитанными характеристиками. |
نوع الوثيقة: |
article in journal/newspaper |
اللغة: |
Russian |
Relation: |
Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, вып. 11, с. 989; https://elib.bsu.by/handle/123456789/280245 |
الاتاحة: |
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280245 |
Rights: |
info:eu-repo/semantics/openAccess ; CC BY 4.0 |
رقم الانضمام: |
edsbas.93A1EE04 |
قاعدة البيانات: |
BASE |