Academic Journal

TEM characterization of GaSb grown on single crystal offcut Silicon (001)

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: TEM characterization of GaSb grown on single crystal offcut Silicon (001)
المؤلفون: Porter, H. L., Steer, M. J., Craven, A. J., McGrouther, D., Thayne, I. G., MacLaren, I.
المصدر: Microscopy and Microanalysis ; volume 23, issue S1, page 1476-1477 ; ISSN 1431-9276 1435-8115
بيانات النشر: Oxford University Press (OUP)
سنة النشر: 2017
مصطلحات موضوعية: Instrumentation
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1017/s1431927617008042
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1017/s1431927617008042
https://www.cambridge.org/core/services/aop-cambridge-core/content/view/S1431927617008042
Rights: https://www.cambridge.org/core/terms
رقم الانضمام: edsbas.878C6D66
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
DOI:10.1017/s1431927617008042