Academic Journal
Optical and Electrical Properties of Tb–ZnO/SiO2 Structure in the Infrared Spectral Interval ; Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра
| العنوان: | Optical and Electrical Properties of Tb–ZnO/SiO2 Structure in the Infrared Spectral Interval ; Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра |
|---|---|
| المؤلفون: | Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Korsunska, N. O., Khomenkova, L. Yu., Venger, Ye. F. |
| المصدر: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 5 (2019); 434 ; Український фізичний журнал; Том 64 № 5 (2019); 434 ; 2071-0194 ; 2071-0186 ; 10.15407/ujpe64.5 |
| بيانات النشر: | Publishing house "Academperiodika" |
| سنة النشر: | 2019 |
| مصطلحات موضوعية: | оксид цинку, SiO2, IЧ-вiдбивання, тонка плiвка, дiелектрична пiдкладка, фонон, плазмон, концентрацiя електронiв, zinc oxide, IR reflection, thin film, dielectric substrate, phonon, plasmon, electron concentration |
| الوصف: | Optical and electrophysical properties of terbium-doped zinc oxide films have been studied, by using the external reflection IR spectroscopy. The films were deposited onto silicon oxide substrates with the help of the magnetron sputtering method. A theoretical analysis of the reflection spectra of the ZnO/SiO2 structure is carried out in the framework of a multioscillatory model in the spectral interval 50–1500 cm−1 and for the electrical field orientation perpendicular to the c-axis (E⊥C). The method of dispersion analysis is applied to determine the optical and electrical properties of ZnO films, as well as the oscillator strengths and damping coefficients in the ZnO film and the SiO2 substrate. The influences of the phonon and plasmon-phonon subsystems in the ZnO film on the shape of IR reflection spectra registered from the Tb–ZnO/SiO2 structure are elucidated. ; За допомогою методу IЧ-спектроскопiї зовнiшнього вiдбивання дослiджено оптичнi та електрофiзичнi властивостi плiвок оксиду цинку, легованого тербiєм. Плiвки було нанесено на пiдкладки оксиду кремнiю методом магнетронного напилення. Теоретичне моделювання спектрiв для структури ZnO/SiO2 проведено з використанням багатоосциляторної моделi в дiапазонi 50–1500 см−1 за орiєнтацiї електричного поля перпендикулярно до c-осi (E⊥C). Методом дисперсiйного аналiзу визначено оптичнi та електричнi властивостi плiвки ZnO, а також силу осциляторiв i значення їх коефiцiєнта затухання для плiвки та пiдкладки SiO2. З’ясовано вплив фононної та плазмон-фононної пiдсистем плiвки ZnO на форму спектра IЧ-вiдбивання структури Tb–ZnO/SiO2. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | English Ukrainian |
| Relation: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335/1389; https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335/1390; https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335 |
| DOI: | 10.15407/ujpe64.5.434 |
| الاتاحة: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335 https://doi.org/10.15407/ujpe64.5.434 |
| Rights: | Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| رقم الانضمام: | edsbas.7A2B404 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.15407/ujpe64.5.434 |
|---|