Academic Journal
PECULIARITIES OF THE TENSORESISTANCE OF N-GE SINGLE CRYSTALS AT THE STRONG UNIAXIAL PRESSURES ; ОСОБЛИВОСТІ ТЕНЗООПОРУ МОНОКРИСТАЛІВ N-GE ПРИ СИЛЬНИХ ОДНОВІСНИХ ТИСКАХ
| العنوان: | PECULIARITIES OF THE TENSORESISTANCE OF N-GE SINGLE CRYSTALS AT THE STRONG UNIAXIAL PRESSURES ; ОСОБЛИВОСТІ ТЕНЗООПОРУ МОНОКРИСТАЛІВ N-GE ПРИ СИЛЬНИХ ОДНОВІСНИХ ТИСКАХ |
|---|---|
| المؤلفون: | Луньов, С.В., Назарчук, П.Ф., Бурбан , О.В. |
| المصدر: | Naukovi notatky; No 75 (2023): Naukovi notatki; 74-77 ; Наукові нотатки; № 75 (2023): Наукові нотатки; 74-77 ; 2415-3966 ; 10.36910/775.24153966.2023.75 |
| بيانات النشر: | Луцький національний технічний університет |
| سنة النشر: | 2023 |
| مصطلحات موضوعية: | tensoresistance, tensosensitivity coefficient, germanium single crystals, (L1-Δ1) – inversion, uniaxial pressure, тензоопір, коефіцієнт тензочутливості, монокристали германію, (L1-Δ1) – інверсія, одновісний тиск |
| الوصف: | The tensoresistive effect in n-Ge single crystals was studied at room temperature and liquid nitrogen temperature under the uniaxial pressure along the crystallographic directions [100], [110], and [111]. The increasing tensoresistance of the investigated n-Ge single crystals is explained by the decrease in electron mobility under the uniaxial pressure, which becomes a tensor when deformed along the [110] and [111] crystallographic directions. A significant increasing tensoresistance at the uniaxial pressures P//[100] is associated with (L1-Δ1) - inversion of the absolute minimum type in germanium. The obtained dependences tensoresistance of n-Ge can be used in the design of pressure sensors with a wide range of tensosensitivity. ; Досліджено тензорезистивний ефект в монокристалах n-Ge при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту в умовах, коли одновісний тиск прикладався вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] та [111]. Зростання тензоопору досліджувальних монокристалів n-Ge пояснюється зменшенням рухливості електронів при одновісному тискові, яка при деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] та [111] стає тензором. При одновісних тисках P//[100] значне зростання тензоопору пов’язане з (L1-Δ1) – інверсією типу абсолютного мінімуму в германії. Одержані залежності тензоопору n-Ge можуть бути використані при конструюванні тензодатчиків з широким діапазоном тензочутливості. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | Ukrainian |
| Relation: | https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/naukovi_notatky/article/view/1166/1078; https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/naukovi_notatky/article/view/1166 |
| DOI: | 10.36910/775.24153966.2023.75.13 |
| الاتاحة: | https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/naukovi_notatky/article/view/1166 https://doi.org/10.36910/775.24153966.2023.75.13 |
| Rights: | Авторське право (c) 2023 Наукові нотатки |
| رقم الانضمام: | edsbas.72965DAD |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.36910/775.24153966.2023.75.13 |
|---|