Academic Journal

The presence of C/ω-V and G/ω-V peaks profile of Ag/SnO2/n-Si/Au MOS junction for capacitor applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: The presence of C/ω-V and G/ω-V peaks profile of Ag/SnO2/n-Si/Au MOS junction for capacitor applications
المؤلفون: Benhaliliba, M., Benouis, C.E., Aldemir, D. Ali
المصدر: Physica B: Condensed Matter ; volume 572, page 175-183 ; ISSN 0921-4526
بيانات النشر: Elsevier BV
سنة النشر: 2019
المجموعة: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref)
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1016/j.physb.2019.07.043
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2019.07.043
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0921452619304843?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0921452619304843?httpAccept=text/plain
Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
رقم الانضمام: edsbas.68C77AE9
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
DOI:10.1016/j.physb.2019.07.043