Academic Journal
Investigation of the Passivation Layers Influence on Capacitance Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures ; ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN
| العنوان: | Investigation of the Passivation Layers Influence on Capacitance Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures ; ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАССИВИРУЮЩИХ СЛОЕВ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN |
|---|---|
| المؤلفون: | K. L. Enisherlova, V. G. Goryachev, T. F. Rusak, S. A. Kapilin, К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак, С. А. Капилин |
| المصدر: | Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 18, № 2 (2015); 137-145 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2015-2 |
| بيانات النشر: | MISIS |
| سنة النشر: | 2016 |
| المجموعة: | Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники |
| مصطلحات موضوعية: | гетероструктуры AlGaN/GaN, вольт-фарадные характеристики, зонная диаграмма, частотные измерения, пассивирующий слой, двухмерный электронный газ, дислокация, резерфордовское обратное рассеяние, capacity−voltage characteristic, frequency measurement, band diagram, 2D electron gas, dislocation, Rutherford backscattering |
| الوصف: | AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD method on sapphire and silicon substrates were test subjects. The capacity− voltage characteristic measurements have been run in 200Hz — 1MHz frequency range at planar disposition of mercury and second probe on the sample surface. The shape of typical C−V curves for the heterostructures with the upper undoped i−AlGaN and i−GaN layers at thickness 15—25 A have been analyzed. The appearance of a typical peak on the C−V curves at changing from depletion region to accumulation region has been registered for some structures with thickness of i−GaN layer 50A at low frequencies (f < 50—200 kHz). The height of this peak increased with reduction of frequency. It has been found experimentally that frequency at which the peak is registered can depend on the dislocation density in heterostructures. Possible explanation of the peak formation and band diagram modifications in these structures under an applied electric field have been presented. We show that using a Si3N4 passivation layer results in the formation of additional positive charge. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | Russian |
| Relation: | https://met.misis.ru/jour/article/view/171/160; Green, B. M. The effect of surface passivation on the microwave characteristics of undoped AlGaN/GaN HEMTs / B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, L. F. Eastman // IEEE Electron Device Lett. − 2000. −V. 21, N 6. − P. 268—270. DOI:10.1109/55.843146; Liu, W. L. Capacitance−voltage spectrocopy of trapping states in GaN/AlGaN heterostructure field−effect transistors / W. L. Liu, Y. L. Chen, A. A. Balandin, K. L. Wang // J. Nanоelectronics and Optoelectronics. − 2006. − V. 1. − P. 258—263.; Arulkumaran, S. Studies on the influences of i−GaN, n−GaN, p−GaN and InGaN cap layers in AlGaN/GaN high−electron−mobility transistors/ S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa // Jap. J. Appl. Phys. − 2005. − V. 44. − P. 2953—2960.; Vertiachikh, A. V. Effect of the surface and barrier defects on the AlGaN/GaN HEMT low−frequency noise performance / A. V. Vertiachikh, L. F. Eastman // IEEE Electron Dev. Lett. − 2003. − V. 24, N 9. − P. 535—537. DOI:10.1109/LED.2003.816588; Derluyn, J. Improvement of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures by in situ deposition of a Si3N4 surface layer/ J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, S. Degroote, M. R. Leys, M. Germain, G. Borghs // J. Appl. Phys. − 2005. − V. 98. − P. 054501−1−5; Kroemer, H. Measurement of isotype heterojunction barriers by C−V profiling/ H. Kroemer, Wu−Yi Chien, J. S. Harris (Jr), D. D. Edwall // Appl. Phys. Lett. − 1980. − V. 36, N 4. − P. 295—297. DOI:10.1063/1.91467; Enisherlova, K. L. AlGaN/GaN heterostructure study using Rutherford backscattering spectrometry / K. L. Enisherlova, V. S. Kulikauskas, V. V. Zatekin, T. F. Rusak, N. B. Gladysheva, I. I. Razguleyaev // J. Surf. Investigation, X−ray, Synchrotron and Neutron Techniq. − 2011. − V. 5, N 4. − P. 626—635.; Брунков, П. Н. Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками. Дисс. … докт. физ.−мат. наук / П. Н. Брунков. − СПб., 2007.; Ambacher, O. Two−dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N− and Ga− gace AlGaN/ GaN heterostructures/ O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murhy, W. J. Schaff, L. F. Eastman // J. Appl. Phys. − 1999. − V. 85, N 6. − P. 3222—3233.; Ibbetson, J. P. Polarization effects, surface states, and the sourface of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor/ J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra // Appl. Phys. Lett. − 2000. − V. 77, N 2. − P. 250—252; Yu, E. T. Spontaneous and piezoelectric polarization effects in III−V nitride heterostructures / E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau // J. Vac. Sci. Technol. B. − 1999. − V. 17, N 4. − P.1742—1749.; Dawei, Y. Capacitance and conduction dispersion in AlGaN/GaN heterostructure/ Yan Dawei, Wang Fuxue, Zhu Zhaomin, Cheng Jianmin, Gu Xiaofeng // J. Semiconductors. − 2013. − V. 34, N 1. − P. 014003−1−4.; https://met.misis.ru/jour/article/view/171 |
| DOI: | 10.17073/1609-3577-2015-2-137-145 |
| الاتاحة: | https://met.misis.ru/jour/article/view/171 https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-2-137-145 |
| Rights: | Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access). ; Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access). |
| رقم الانضمام: | edsbas.65E984A5 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.17073/1609-3577-2015-2-137-145 |
|---|