Academic Journal
Atomic arrangement at ZnTe/CdSe interfaces determined by high resolution scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography
| العنوان: | Atomic arrangement at ZnTe/CdSe interfaces determined by high resolution scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography |
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| المؤلفون: | Bonef, Bastien, Gérard, Lionel, Rouvière, Jean-Luc, Grenier, Adeline, Jouneau, Pierre-Henri, Bellet-Amalric, Edith, Mariette, Henri, André, Régis, Bougerol, Catherine |
| المساهمون: | Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée (LEMMA), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes 2016-2019 (UGA 2016-2019 )-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Nanophysique et Semiconducteurs (NEEL - NPSC), Institut Néel (NEEL), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Nanophysique et Semiconducteurs (NPSC), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS) |
| المصدر: | ISSN: 0003-6951. |
| بيانات النشر: | CCSD American Institute of Physics |
| سنة النشر: | 2015 |
| المجموعة: | Université Grenoble Alpes: HAL |
| مصطلحات موضوعية: | [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] |
| الوصف: | International audience ; High resolution scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography experiments reveal the presence of an intermediate layer at the interface between two binary compounds with no common atom, namely, ZnTe and CdSe for samples grown by Molecular Beam Epitaxy under standard conditions. This thin transition layer, of the order of 1 to 3 atomic planes, contains typically one monolayer of ZnSe. Even if it occurs at each interface, the direct interface, i.e., ZnTe on CdSe, is sharper than the reverse one, where the ZnSe layer is likely surrounded by alloyed layers. On the other hand, a CdTe-like interface was never observed. This interface knowledge is crucial to properly design superlattices for optoelectronic applications and to master band-gap engineering. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| اللغة: | English |
| DOI: | 10.1063/1.4907648 |
| الاتاحة: | https://hal.science/hal-01132475 https://hal.science/hal-01132475v1/document https://hal.science/hal-01132475v1/file/1.4907648.pdf https://doi.org/10.1063/1.4907648 |
| Rights: | info:eu-repo/semantics/OpenAccess |
| رقم الانضمام: | edsbas.5E96E743 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.1063/1.4907648 |
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