التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: |
Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates ; Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2 ; Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych |
المؤلفون: |
Hruban Andrzej |
المساهمون: |
Orłowski Wacław, Strzelecka Stanisława, Piersa Mirosław, Jurkiewicz-Wegner Elżbieta, Mirowska Aleksandra, Rojek Anna, Piersa, Mirosław. |
المصدر: |
ITME, sygn. dostępny ; http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6442 ; http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6442 |
بيانات النشر: |
ITME |
سنة النشر: |
2013 |
المجموعة: |
Digital Repository of Scientific Institutes (RCIN) |
مصطلحات موضوعية: |
SI GaAs, gallium arsenide, Czochralski method, LEC, orientation, arsenek galu, metoda Czochralskiego, orientacja |
الوصف: |
s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25 ; s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25 |
نوع الوثيقة: |
text |
وصف الملف: |
application/pdf |
اللغة: |
Polish |
Relation: |
Electronic Materials; oai:rcin.org.pl:publication:59103; Materiały Elektroniczne; https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/41656/content; oai:rcin.org.pl:41656 |
الاتاحة: |
https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/41656/content |
Rights: |
Rights Reserved - Free Access ; Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony |
رقم الانضمام: |
edsbas.58906A36 |
قاعدة البيانات: |
BASE |