Academic Journal

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates ; Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2 ; Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates ; Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2 ; Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
المؤلفون: Hruban Andrzej
المساهمون: Orłowski Wacław, Strzelecka Stanisława, Piersa Mirosław, Jurkiewicz-Wegner Elżbieta, Mirowska Aleksandra, Rojek Anna, Piersa, Mirosław.
المصدر: ITME, sygn. dostępny ; http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6442 ; http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6442
بيانات النشر: ITME
سنة النشر: 2013
المجموعة: Digital Repository of Scientific Institutes (RCIN)
مصطلحات موضوعية: SI GaAs, gallium arsenide, Czochralski method, LEC, orientation, arsenek galu, metoda Czochralskiego, orientacja
الوصف: s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25 ; s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25
نوع الوثيقة: text
وصف الملف: application/pdf
اللغة: Polish
Relation: Electronic Materials; oai:rcin.org.pl:publication:59103; Materiały Elektroniczne; https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/41656/content; oai:rcin.org.pl:41656
الاتاحة: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/41656/content
Rights: Rights Reserved - Free Access ; Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
رقم الانضمام: edsbas.58906A36
قاعدة البيانات: BASE