Academic Journal
Комп’ютерне моделювання нелінійних спотворень звукового підсилювача класу D на GaN-транзисторах
| العنوان: | Комп’ютерне моделювання нелінійних спотворень звукового підсилювача класу D на GaN-транзисторах |
|---|---|
| المؤلفون: | Смоленська, О. І., Баран, В. С., Оникієнко, Ю. О. |
| المصدر: | Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал, 2020, Т. 3, № 1 |
| بيانات النشر: | КПІ ім. Ігоря Сікорського Київ |
| سنة النشر: | 2020 |
| مصطلحات موضوعية: | підсилювачі класу D, GaN-транзистори, нелінійні спотворення, комп’ютерне моделювання, широтно-імпульсна модуляція, Class D amplifiers, GaN transistors, nonlinear distortion, computer simulation, wide-pulse modulation, 004.942 |
| الوصف: | Розроблено комп’ютерну модель вихідного каскаду підсилювача класу D на GaN-транзисторах за допомогою моделювання з використанням SPICE моделей GaN-транзисторів в програмному середовищі Multisim 14.1. Досліджено залежність нелінійних спотворень від частоти перемикання для 100 кГц, 250 кГц, 500 кГц, 1000 кГц для звукових сигналів 1 кГц, 2 кГц, 5 кГц та 10 кГц. Визначено кращі умови роботи для отримання мінімальних значень коефіцієнта нелінійних спотворень. Встановлено, що використання GaN-транзисторів у підсилювачів класу D для звукових трактів є ефективним, оскільки дозволяє отримати коефіцієнт нелінійних спотворень значно менше допустимого стандартом в 1%, а висока частота перетворення дозволяє знано зменшити габарити підсилювача. ; Class A, B, AB and D amplifiers are used in the field of sound reproduction equipment, but each has its own peculiarities. The principle of operation of class D amplifiers is based on pulse width modulation. Transistors act as switches, either in the closed or opened state without intermediate values. The efficiency of real class D amplifiers is approximately 90%, in the most economical models 95%, and they have low dependence of the output power. The class D amplifiers are compact in size. For this paper, GaN-transistors were selected as the base. Because they are, compared to silicon transistors, low resistance in the open state, high breakdown voltage, higher switching speed of the transistors. They also work at high temperatures. The nonlinear distortions is negative features of Class D amplifiers. They directly affect the sound quality. The distortions include nonlinearity, which is determined by the modulation method and the "dead" period, which is necessary to prevent the occurrence of cross-current at the moment when both half-transistors are open. Modeling the parameters of a Class D amplifier, especially at an early stage of development, is a necessary tool that can significantly reduce the time and money spent on development and production. In this paper, simulations were ... |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | С. 54-58; application/pdf |
| اللغة: | Ukrainian |
| Relation: | Смоленська, О. І. Комп’ютерне моделювання нелінійних спотворень звукового підсилювача класу D на GaN-транзисторах / Смоленська О. І., Баран В. С., Оникієнко Ю. О. // Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал. – 2020. – Т. 3, № 1. – С. 54-58. – Бібліогр.: 10 назв.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/54068; https://doi.org/10.20535/2617-0965.2020.3.1.199016; orcid:0000-0003-0512-7978; orcid:0000-0002-4476-5350; orcid:0000-0001-7508-8391 |
| DOI: | 10.20535/2617-0965.2020.3.1.199016 |
| الاتاحة: | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/54068 https://doi.org/10.20535/2617-0965.2020.3.1.199016 |
| Rights: | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| رقم الانضمام: | edsbas.560C1C48 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.20535/2617-0965.2020.3.1.199016 |
|---|