Academic Journal
Thermal Field Stabilization of the Threshold Voltage of the Field Transistors of the Submicron Technology of the LSI ; Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС
| العنوان: | Thermal Field Stabilization of the Threshold Voltage of the Field Transistors of the Submicron Technology of the LSI ; Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС |
|---|---|
| المؤلفون: | Novosyadliy, S.P., Gryga, V.M., Kurysh, I.I., Melnyk , M.I. |
| المصدر: | Physics and Chemistry of Solid State; Vol. 19 No. 4 (2018); 352-357 ; Фізика і хімія твердого тіла; Том 19 № 4 (2018); 352-357 ; 2309-8589 ; 1729-4428 |
| بيانات النشر: | Vasyl Stefanyk Precarpathian National University |
| سنة النشر: | 2018 |
| مصطلحات موضوعية: | field transistors, submicron technology, LSI, польові транзистори, субмікронні технології, ВІС |
| الوصف: | On the basis of the analysis of the volume correspondence of the phases in the active gate system Si-SiO2, the possibility of obtaining a negative charge in the shutter system of submicron LSI is shown. Such a technological method has been experimentally verified at low temperature oxidation of silicon, which is patented. Studies have established that the magnitude of charge at the interphase boundary can be significantly influenced by introducing into the oxidizing atmosphere of halogen-containing compounds. ; На основі аналізу об’ємної відповідності фаз в діючій затворній системі Si-SiO2 показана можливість отримання від’ємного заряду в затворній системі субмікронних ВІС. Такий технологічний метод експериментально провірений при низькотемпературному оксидуванні кремнію, на що отримано патент на винахід. Дослідженнями встановлено, що на величину заряду на міжфазній межі можна суттєво впливати шляхом введення в окислювальну атмосферу галогеновмісних сполук. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | English Ukrainian |
| Relation: | https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/590/658; https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/590/659; https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/590 |
| DOI: | 10.15330/pcss.19.4.352-357 |
| الاتاحة: | https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/590 https://doi.org/10.15330/pcss.19.4.352-357 |
| رقم الانضمام: | edsbas.5523F1EC |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.15330/pcss.19.4.352-357 |
|---|