Dissertation/ Thesis
Дослідження кінетичних властивостей електронів в твердих розчинах InGaN і InAlN
| العنوان: | Дослідження кінетичних властивостей електронів в твердих розчинах InGaN і InAlN |
|---|---|
| المؤلفون: | Борс, Вікторія Олексіївна |
| المساهمون: | Саурова, Тетяна Асадівна |
| بيانات النشر: | КПІ ім. Ігоря Сікорського Київ |
| سنة النشر: | 2020 |
| مصطلحات موضوعية: | матеріали, InGaN, InAlN, кінетичні властивості, транспортні властивості, дрейфова швидкість, процеси розсіювання, materials, kinetic properties, transport properties, drift speed, scattering processes, 621.3.082 |
| الوصف: | Актуальність теми дослідження обумовлена тим, що багато перспективних матеріалів лишаються без уваги, через нестачу дослідження їх властивостей. Об’єктом дослідження – напівпровідникові матеріали InGaN та InAlN. Предмет дослідження – часи релаксації, рухливість та дрейфова швидкість електронів в потрійних сполуках InGaN та InAlN. Мета роботи – розрахунок, дослідження та аналіз рухливості електронів та поле–швидкісної характеристики потрійних сполук InGaN та InAlN. Відповідно до обраної мети у першому розділі було проведено аналіз вже існуючих досліджень стосовно обраних матеріалів. Було проаналізовано зміну параметрів зі зміною вмісту індію в потрійних розчинах InGaN та InAlN. Серед проаналізованих параметрів: ширина забороненої зони; ефективна маса носіїв заряду; енергія фононів; діелектрична проникність; швидкість звуку та акустичний деформаційний потенціал. У другому розділі було проведено аналіз та розрахунки кінетичних властивостей електронів в твердих розчинах InGaN та InAlN. В тому числі: рухливості електронів в слабких електричних полях; дрейфової швидкості в двух режимах роботи, при постійному та при імпульсному режимі електричного поля. Зроблено висновки, стосовно впливу вмісту індію в досліджуваних сполуках на дрейфову швидкість та рухливість електронів в досліджуваних матеріалах. Третій розділ присвячений розробці стартап проекту відповідно до теми магістерської дисертації. ; The relevance of the research topic is due to the fact that many promising materials are ignored due to lack of research on their properties. The object of research is InGaN and InAlN semiconductor materials. The subject of research is relaxation times, mobility and electron drift velocity in ternary compounds InGaN and InAlN. The purpose of the work is the calculation, research and analysis of electronics mobility and field–speed characteristics of compounds InGaN and InAlN. In accordance with the chosen goal, the first section analyzed the existing research on selected materials. The change of parameters with the change of the ... |
| نوع الوثيقة: | master thesis |
| وصف الملف: | 72 с.; application/pdf |
| اللغة: | Ukrainian |
| Relation: | Борс, В. О. Дослідження кінетичних властивостей електронів в твердих розчинах InGaN і InAlN : магістерська дис. : 153 Мікро– та наносистемна техніка / Борс Вікторія Олексіївна. – Київ, 2020. – 72 с.; https://ela.kpi.ua/handle/123456789/39292 |
| الاتاحة: | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/39292 |
| رقم الانضمام: | edsbas.4FEF108A |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| الوصف غير متاح. |