Dissertation/ Thesis
Dreidimensionale Topographiesimulation der ionisierten Metallplasma-Abscheidung in der Halbleitertechnologie ; Three-dimensional topography simulation of Ionized Metal Physical Vapor Deposition in the semiconductor industry
| العنوان: | Dreidimensionale Topographiesimulation der ionisierten Metallplasma-Abscheidung in der Halbleitertechnologie ; Three-dimensional topography simulation of Ionized Metal Physical Vapor Deposition in the semiconductor industry |
|---|---|
| المؤلفون: | Kistler, Siegbert |
| سنة النشر: | 2006 |
| المجموعة: | OPUS FAU - Online publication system of Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg |
| مصطلحات موضوعية: | Beschichten, Computersimulation, Metallisieren, Winkelverteilung, Abscheidung, Hochfrequenzsputtern, Sputtern, Zerstäubung, Dünnes Plasma, Ho, ddc:600 |
| الوصف: | In dieser Arbeit wurde ein Simulationsprogramm entwickelt, das die dreidimensionale Form der Oberfläche von Strukturen nach einer physikalischen Schichtabscheidung - auch mit Rücksputtern - vorhersagen kann. Als Grundlage dient ein physikalisches Modell zur Beschreibung der Vorgänge an der Strukturoberfläche. Es berücksichtigt energiereiche Teilchen, wie sie gezielt bei der ionisierten Metallplasma-Abscheidung (IMPVD) erzeugt werden, um die Konformität der abgeschiedenen Schicht zu verbessern. Ohne die energiereichen Teilchen beschreibt das Modell herkömmliche physikalische Schichtabscheidung. Die Energie- und Winkelverteilung der auftreffenden Teilchen und deren Haftwahrscheinlichkeit sind Parameter des Modells. Die behandelten Teilchensorten sind Atome und Ionen des sich abscheidenden Materials sowie Ionen des Trägergases. Die Ionen können durch Rücksputtern wieder Material aus der Schicht entfernen und innerhalb der Struktur umlagern. Die Abhängigkeit dieses Vorgangs von der Energie und dem Einfallswinkel des Ions wird berücksichtigt. Die Topographie der Struktur wird durch Unterteilung in ebene Dreiecke diskretisiert. Basierend auf dem physikalischen Modell wurde für die 3D-Simulation ein lineares Gleichungssystem zur Bestimmung der Abscheideraten an verschiedenen Stellen der Oberfläche aufgestellt. Alle auftretenden Größen wie Teilchenaustausch, Abschattung und gegenseitige Sichtbarkeit von Oberflächenelementen werden in drei Dimensionen behandelt. Mit dem Programm lassen sich erstmals die Topographieänderungen dreidimensionaler Strukturen bei der ionisierten Metallplasma-Abscheidung simulieren. Zur Erzeugung der Struktur nach der simulierten Abscheidung wird ein bestehendes Programm benutzt, das die Dreiecke gemäß den Abscheideraten verschiebt. Der 3D-Simulator wurde anhand von 2D-Simulationen aus der Literatur validiert, die wiederum mit Experimenten verglichen worden waren. Die 3D-Simulationen zeigen eine gute Übereinstimmung mit den 2D-Simulationen, sowohl mit als auch ohne Rücksputtern. An einer nur ... |
| نوع الوثيقة: | doctoral or postdoctoral thesis |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | German |
| Relation: | https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/343; urn:nbn:de:bvb:29-opus-4600; https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus-4600; https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/343/SiegbertKistlerDissertation.pdf |
| الاتاحة: | https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/343 https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus-4600 https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/343/SiegbertKistlerDissertation.pdf |
| Rights: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| رقم الانضمام: | edsbas.4CB87872 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| الوصف غير متاح. |