Academic Journal

Low frequency noise in biaxially strained silicon n-MOSFETs with ultrathin gate oxides

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Low frequency noise in biaxially strained silicon n-MOSFETs with ultrathin gate oxides
المؤلفون: Contaret, Thierry, Boutchacha, Touati, Ghibaudo, Gérard, Bœuf, Frédéric, Skotnicki, Thomas
المصدر: Solid-State Electronics ; volume 51, issue 4, page 633-637 ; ISSN 0038-1101
بيانات النشر: Elsevier BV
سنة النشر: 2007
المجموعة: ScienceDirect (Elsevier - Open Access Articles via Crossref)
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1016/j.sse.2007.02.007
الاتاحة: https://doi.org/10.1016/j.sse.2007.02.007
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110107000718?httpAccept=text/xml
https://api.elsevier.com/content/article/PII:S0038110107000718?httpAccept=text/plain
Rights: https://www.elsevier.com/tdm/userlicense/1.0/
رقم الانضمام: edsbas.4B77C1AD
قاعدة البيانات: BASE
الوصف
DOI:10.1016/j.sse.2007.02.007