Academic Journal

MOVPE Deposition of AlAs/In0.53Ga0.47As/InP Resonant Tunneling Heterostructure Performing High PVR Parameter

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: MOVPE Deposition of AlAs/In0.53Ga0.47As/InP Resonant Tunneling Heterostructure Performing High PVR Parameter
المؤلفون: Kosiel, K., Dobrzanski, L., Majkusiak, B., Jasik, A.
المصدر: Journal of Wide Bandgap Materials ; volume 9, issue 1-2, page 93-100 ; ISSN 1524-511X
بيانات النشر: SAGE Publications
سنة النشر: 2001
نوع الوثيقة: article in journal/newspaper
اللغة: English
DOI: 10.1106/152451102025833
الاتاحة: http://dx.doi.org/10.1106/152451102025833
رقم الانضمام: edsbas.444F7FB1
قاعدة البيانات: BASE