Academic Journal
ANALYSIS OF HEAT PROPAGATION PROCESSES IN STRUCTERS OF PULSE POWERFUL DEVICES NEAR PLANES OF SOLDER OF SILICON PLATES IN HIGH VOLTAGE STACKS ; АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ»
| العنوان: | ANALYSIS OF HEAT PROPAGATION PROCESSES IN STRUCTERS OF PULSE POWERFUL DEVICES NEAR PLANES OF SOLDER OF SILICON PLATES IN HIGH VOLTAGE STACKS ; АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ИМПУЛЬСНЫХ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ ВБЛИЗИ ПЛОСКОСТЕЙ СПАЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН В ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ «СТОЛБЫ» |
|---|---|
| المؤلفون: | A. L. Glazov, V. A. Kozlov, O. Korolkov, K. L. Muratikov, А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков, К. Л. Муратиков |
| المساهمون: | контактный теплоперенос, спаянные или сварные соединения, лазерная термоволновая диагностика, высоковольтные полупроводниковые переключатели |
| المصدر: | Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; № 2 (2012); 65-69 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; № 2 (2012); 65-69 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2012-2 |
| بيانات النشر: | MISIS |
| سنة النشر: | 2015 |
| المجموعة: | Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники |
| مصطلحات موضوعية: | soldered or bonded contacts, laser thermal wave diagnostics, high voltage switchers |
| الوصف: | Processes of heat transfer through interfaces of semiconductor diode stack structures of high voltage pulse switchers are investigated by laser thermal wave methods. Theoretical model of thermal wave propagation in such structures is developed. It takes into account specific features of preparation of semiconductor element surfaces, layers of solder or bonding. It is shown that laser thermal wave methods can be applied to diagnostics of thermal contact quality between elements of opening switchers for various technologies of their assembling. ; Разработан метод лазерной термоволновой диагностики процессов теплопереноса в межсоединениях полупроводниковых диодных структур высоковольтных импульсных ключей−размыкателей, собранных по технологии «столбов». Предложена теоретическая модель процессов распространения тепловых волн в подобных структурах с учетом технологических особенностей подготовки поверхностей полупроводниковых элементов, слоев спайки или сварки. Показано, что лазерные термоволновые методы позволяют диагностировать качество теплофизических контактов между элементами ключей−размыкателей при различных технологиях их соединений. |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | Russian |
| Relation: | https://met.misis.ru/jour/article/view/114/107; Baliga, B. J. Fundamentals of power semiconductor devices / B. J. Baliga. − N.−Y. : Springer Sci., 2008. − 1072 p.; Еfanov, V. M. Powerful semiconductor 80 kV nanosecond pulser / V. M. Еfanov, A. F. Kardo−Sysoev, M. A. Larionov, I .G. Tchashnikov, P. M. Yarin, A. V. Kriklenko // Proc. of the 11−th. IEEE Int. Pulsed Power Conf. − Maryland (USA), 1997. − V. 2. − P. 985—987.; Любутин, С. К. Высокочастотные импульсные генераторы на основе SOS−диодов с субнаносекундным временем обрыва тока / С. К. Любутин, С. Н. Рукин, Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов. // Приборы и техника эксперимента. − 2000. − Вып. 3. − С. 52—60.; Kozlov, V. A. New generation of drift step recovery diodes (DSRD) for subnanosecond switching and high repetition rate operation / V. A. Kozlov, I. A. Smirnova, S. A. Moryakova, A. F. Kardo−Sysoev. // Conf. Rec. of the 25−th. Int. Power Modulator Symp. − California (USA), 2002. − P. 441—444.; Glazov, A. L. Measurement of thermal parameters of solids by a modified photodeflection method / A. L. Glazov, K. L.Muratikov // Optical Eng. − 1997. − V. 36, N 2. − P. 358—362.; Глазов, А. Л. Определение теплофизических характеристик и параметров трещин в керамиках фотодефлекционным методом / А. Л. Глазов, К. Л. Муратиков // ЖТФ. − 2001. − Т. 71, Вып. 6. − С. 110—115.; Muratikov, K. L. Photothermal and photoacoustic measurement of thermal and thermoelastic properties of ceramics with residual stresses / K. L. Muratikov, A. L. Glazov, D. N. Rose, J. E. Dumar // High temperatures − High pressures. − 2001. − V. 33, N 3. − P. 285—292.; Torn, R. D. A generalized model of photothermal radiometry / R. D. Torn, E. P. O’Hara // J. Appl. Physi. − 1982. − V. 53, N 8. − P. 5392—5400.; Shendeleva, M. L. Thermal wave reflection and refraction at a plane interface: Two−dimensional geometry / M. L. Shendeleva // Phys. Rev. B. − 2002. − V. 65, N 13. − P. 134209−1—134209−8.; Shendeleva, M. L. Instantaneous line heat source near a plane interface / M. L. Shendeleva // J. Appl. Phys. − 2004. − V. 95, N 5. − P. 2839—2845.; https://met.misis.ru/jour/article/view/114 |
| DOI: | 10.17073/1609-3577-2012-2-65-69 |
| الاتاحة: | https://met.misis.ru/jour/article/view/114 https://doi.org/10.17073/1609-3577-2012-2-65-69 |
| Rights: | Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access). ; Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access). |
| رقم الانضمام: | edsbas.43D9D7AC |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.17073/1609-3577-2012-2-65-69 |
|---|