Academic Journal
Free carrier recombination lifetime calculation from photoconductivity decay measurement in non-passivated silicon ; К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния
| العنوان: | Free carrier recombination lifetime calculation from photoconductivity decay measurement in non-passivated silicon ; К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния |
|---|---|
| المؤلفون: | I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, A. V. Pylnev, I. V. Schemerov, D. S. Egorov, S. V. Yurchuk, И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев, И. В. Щемеров, Д. С. Егоров, С. Ю. Юрчук |
| المصدر: | Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 19, № 3 (2016); 210-216 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2016-3 |
| بيانات النشر: | MISIS |
| سنة النشر: | 2018 |
| المجموعة: | Materials of Electronics Engineering (E-Journal) / Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники |
| مصطلحات موضوعية: | бесконтактные СВЧ− измерения, photoconductivity decay, Si single crystal, contactless µ−PCD measurements, неравновесные носители заряда, спад фотопроводимости, монокристаллический Si, непассивированные образцы |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | Russian |
| Relation: | https://met.misis.ru/jour/article/view/240/207; Väinölä, H. Sensitive copper detection in p−type CZ silicon using µPCD / H. Väinölä, M. Yli−Koski, A. Haarahiltunen, J. Sinkkonen // J. Electrochem. Soc. − 2003. − V. 150, iss. 12. − P. G790—G794. DOI:10.1149/1.1624845; Schroder, D. K. Semiconductor material and device characterization / D. K. Schroder. − New York : Wiley−Interscience/IEEE, 2006. − 781 p.; Кобелева, С. П. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния (обзор) / С. П. Кобелева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2007. − Т. 73, № 1. − С. 60—67.; Ogita, Y. I. Bulk lifetime and surface recombination velocity measurement method in semiconductor wafers / Y. I. Ogita // J. Appl. Phys. − 1996. − V. 79, iss. 9. − Art. N 6954. DOI:10.1063/1.361459; Harkonen, J. Recombination lifetime characterization and mapping of silicon wafers and detectors using the microwave photoconductivity decay (µPCD) technique / J. Härkönen, E. Tuovinen, Z. Li, P. Luukka, E. Verbitskaya, V. Eremin // Materials Science in Semiconductor Processing. − 2006. − V. 9, iss. 1–3. − P. 261—265. DOI:10.1016/j.mssp.2006.01.049; SEMI MF 1535−0707. Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by noncontact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance. − San Jose, 2010.; Wilson, M. Improved QSS−µPCD measurement with quality of decay control: Correlation with steady−state carrier lifetime / M. Wilson, P. Edelman, J. Lagowski, S. Olibet, V. Mihailetchi // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2012. − V. 106. − P. 66—70. DOI:10.1016/j.solmat.2012.05.040; Klein, D. The determination of charge−carrier lifetime in silicon / D. Klein, F. Wuensch, M. Kunst // Phys. Status Solidi (b). − 2008. − V. 245, N 9. − P. 1865—1876. DOI:10.1002/pssb.200879544; Heinz, F. D. Separation of the surface and bulk recombination in silicon by means of transient photoluminescence / F. D. Heinz, W. Warta, M. C. Schubert // Appl. Phys. Lett. − 2017. − V. 110, iss. 4. − Art. N 042105. DOI:10.1063/1.4975059; Anfimov, I. M. Measurement of lifetime of nonequilibrium charge carriers in single−crystal silicon / I. M. Anfimov, S. P. Kobeleva, I. V. Shchemerov // Inorg. Mater. − 2015. − V. 51, N 15. − P. 1447— 1451. DOI:10.1134/S0020168515150029; Fontaine, J. C. A simple procedure based on the PCD method for determination of recombination lifetime and surface recombination velocity in silicon / J. C. Fontaine, S. Barthe, J. P. Ponpon, J. P. Schunck, P. Siffert // Measurement Science and Technology. − 1994. − V. 5, N 1. − P. 47—50. DOI:10.1088/0957-0233/5/1/008; Landheer, K. Decoupling high surface recombination velocity and epitaxial growth for silicon passivation layers on crystalline silicon / K. Landheer, M. Kaiser, M. A. Verheijen, F. D. Tichelaar, I. Poulios, R. E. I. Schropp, J. K. Rath // J. Phys. D: Appl. Phys. − 2017. − V. 50, N 6. − Art. N 065305. DOI:10.1088/1361-6463/aa535f; Adachi, D. Impact of carrier recombination on fill factor for large area heterojunction crystalline silicon solar cell with 25.1% efficiency / D. Adachi, J. L. Hernandez, K. Yamamoto // Appl. Phys. Lett. − 2015. − V. 107, iss. 23. − Art. N 233506. DOI:10.1063/1.4937224; Bonilla, R. S. Extremely low surface recombination in 1 Ω cm n−type monocrystalline silicon / R. S. Bonilla, C. Reichel, M. Hermle, P. R. Wilshaw // Phys. Status Solidi RRL. − 2017. − V. 11, iss. 1. − Art. N 1600307. DOI:10.1002/pssr.201600307; Ogita, Y .I. Reduction of surface recombination velocity by rapid thermal annealing of p−Si passivated by catalytic−chemical vapor deposited alumina films / Y .I. Ogita, M. Tachihara // Thin Solid Films. − 2015. − V. 575. − P. 56—59. DOI:10.1016/j.tsf.2014.10.024; Blakemore, J. S. Semiconductor statistics / J. S. Blakemore. − New York : Dover publishing, 1987. − 381 p.; Giesecke, J. A. Understanding and resolving the discrepancy between differential and actual minority carrier lifetime / J. A. Giesecke, S. W. Glunz, W. Warta // J. Appl. Phys. − 2013. − V. 113, N 7. − Art. N 073706. DOI:10.1063/1.4790716; Brody, J. Review and comparison of equations relating bulk lifetime and surface recombination velocity to effective lifetime measured under flash lamp illumination / J. Brody, A. Rohatgi, A. Ristow // Solar Energy Materials and Solar Cells. − 2003. − V. 77, iss. 3. − P. 293—301. DOI:10.1016/S0927-0248(02)00350-1; Horanyi, T. S. In situ bulk lifetime measurement on silicon with chemically passivated surface / T. S. Horanyi, T. Pavelka, P. Tutto // Appl. Surf. Sci. − 1993. − V. 63, iss. 1–4. − P. 306—311. DOI:10.1016/0169-4332(93)90112-O; Кобелева, С. П. Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния / С. П. Кобелева, С. Ю. Юрчук, М. А. Ярынчак, В. В. Калинин // Известия вузов. Материалы электронной техники. − 2006. − № 4. − С. 17—20.; Горюнов, Н. Н. Определение объемного времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния / Н. Н. Горюнов, С. П. Кобелева, В. В. Калинин, С. Ю. Юрчук, А. Н. Слесарев, А. Н. Чиякин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. − 2004. − Т. 70, № 6. − С. 23—28.; SEMI MF 391−0310. Test methods for minority−carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady−state surface photovoltage. − San Jose, 2010.; Kobeleva, S. P. A device for free−carrier recombination lifetime measurements / S. P. Kobeleva, I. M. Anfimov, I. V. Schemerov // Instruments and Experimental Techniques. − 2016. − V. 59, iss. 3. − P. 420—424. DOI:10.1134/S0020441216030064; https://met.misis.ru/jour/article/view/240 |
| DOI: | 10.17073/1609-3577-2016-3-210-216 |
| الاتاحة: | https://met.misis.ru/jour/article/view/240 https://doi.org/10.17073/1609-3577-2016-3-210-216 |
| Rights: | Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with embargo 1 year, then the work will be licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access). ; Авторы, публикующие статьи в данном журнале, соглашаются на следующее:Авторы сохраняют за собой автороские права и предоставляют журналу право первой публикации работы, которая по истечении 12 месяцев после публикации автоматически лицензируется на условиях Creative Commons Attribution License , которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access). |
| رقم الانضمام: | edsbas.3B8559A9 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.17073/1609-3577-2016-3-210-216 |
|---|