Academic Journal
COMPUTER SIMULATION OF THE DYNAMIC CHARACTERISTICS OF TRIGGERS ON LOGIC TRANSISTOR PTS SYSTEMS WITH CAPACITIVE COUPLING FOR SENSOR MICROSYSTEMS ; КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРИГЕРІВ НА ЛОГІЧНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СИСТЕМАХ ПТШ З ЄМНІСНИМИ ЗВ’ЯЗКАМИ ДЛЯ СЕНСОРНИХ МІКРОСИСТЕМ
| العنوان: | COMPUTER SIMULATION OF THE DYNAMIC CHARACTERISTICS OF TRIGGERS ON LOGIC TRANSISTOR PTS SYSTEMS WITH CAPACITIVE COUPLING FOR SENSOR MICROSYSTEMS ; КОМП’ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРИГЕРІВ НА ЛОГІЧНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СИСТЕМАХ ПТШ З ЄМНІСНИМИ ЗВ’ЯЗКАМИ ДЛЯ СЕНСОРНИХ МІКРОСИСТЕМ |
|---|---|
| المؤلفون: | Никируй Л.І., Ільницький Р.В., Павлюк М.Ф., Федосов С.А., Пташенчук В.В |
| المصدر: | Perspective technologies and devices; Vol 1 No 23 (2023): PERSPECTIVE TECHNOLOGIES AND DEVICES; 67-71 ; Перспективні технології та прилади; Том 1 № 23 (2023): ПЕРСПЕКТИВНІ ТЕХНОЛОГІЇ ТА ПРИЛАДИ; 67-71 ; 2313-5352 ; 10.36910/6775-2313-5352-2023-23 |
| بيانات النشر: | ЛНТУ |
| سنة النشر: | 2024 |
| مصطلحات موضوعية: | RS-Trigger, T-Trigger, Microprocessor, PTS-Transistor, Submicron Technology, RS-тригер, T-тригер, мікропроцесор, ПТШ-транзистор, субмікронна технологія |
| الوصف: | This paper presents the results of computer modeling of the integral trigger elements implemented on Schottky field-effect transistors (FETs) with capacitive coupling, namely, a synchronous RS-trigger and a two-stroke T-trigger. The obtained modes of their functioning are presented on the basis of the simulation results, and their constructive and technological instrument structures are shown. These structures can be obtained by combined submicron technologies based Si and GaAs. At the same time, such technologies are promising for the creation of various types of sensor elements, which opens up additional opportunities for their integration with circuits for primary processing of information from them and the creation of sensor microsystems-on-a-crystal. Also due to this, the speed of trigger systems increases by almost an order of magnitude during the formation of hetero-FETs transistors, which is ensured by the formation of a double electron gas, the mobility of which electrons increases by an order of magnitude. For digital transformations of information from sensor elements based on FETs the trigger elements with FETs structures are needed, respectively. The results of the analysis and research of RS flip-flops and two-stroke T-type of flip-flops with inter-element capacitive connections are presented in this paper. ; У даному дослідженні подані результати комп’ютерного моделювання інтегральних тригерних елементів, реалізованих на польових транзисторах Шотткі (ПТШ) з ємнісними зв’язками, а саме, синхронного RS-тригера та двотактного Т-тригера. На основі результатів моделювання представлено отримані режими їх функціонування, наведено їх конструктивно-технологічні приладні структури. Ці структури можуть бути отримані суміщеними субмікронними Si i GaAs технологіями. Такі технології водночас є перспективними для створення різних типів сенсорних елементів, що відкриває додаткові можливості їх інтеграції зі схемами первинної обробки інформації від них і створення сенсорних мікросистем-на-кристалі. Також за ... |
| نوع الوثيقة: | article in journal/newspaper |
| وصف الملف: | application/pdf |
| اللغة: | Ukrainian |
| Relation: | https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/1247/1145; https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/1247 |
| DOI: | 10.36910/10.36910/6775-2313-5352-2023-23-09 |
| الاتاحة: | https://eforum.lntu.edu.ua/index.php/jurnal/article/view/1247 https://doi.org/10.36910/10.36910/6775-2313-5352-2023-23-09 |
| Rights: | Авторське право (c) 2024 Перспективні технології та прилади |
| رقم الانضمام: | edsbas.35E1B1E0 |
| قاعدة البيانات: | BASE |
| DOI: | 10.36910/10.36910/6775-2313-5352-2023-23-09 |
|---|