التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically δ-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy |
| المؤلفون: |
J. L. Yu, Y. H. Chen, X. Bo, C. Y. Jiang, X. L. Ye, S. J. Wu, H. S. Gao |
| سنة النشر: |
2013 |
| المجموعة: |
Institute of Semiconductors: SEMI OpenIR (Chinese Academy of Sciences) / 中国科学院半导体研究所机构知识库 |
| مصطلحات موضوعية: |
半导体材料 |
| نوع الوثيقة: |
report |
| اللغة: |
English |
| Relation: |
Journal of Applied Physics; J. L. Yu, Y. H. Chen, X. Bo, C. Y. Jiang, X. L. Ye, S. J. Wu, H. S. Gao .In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically δ-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy.Journal of Applied Physics,2013,113(8):083504- 083504-5; http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24488 |
| الاتاحة: |
http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24488 |
| رقم الانضمام: |
edsbas.32296FD9 |
| قاعدة البيانات: |
BASE |