التفاصيل البيبلوغرافية
| العنوان: |
Caractérisation des défauts cristallins au MEB par canalisation d’électrons assistée par diagrammes pseudo-Kikuchi haute résolution : application à l’acier IF, UO2 et TiAl ; Characterization of crystallographic defects in SEM by electron channeling assisted by high resolution pseudo-Kikuchi patterns : application to IF-steel, UO2 and TiAl |
| المؤلفون: |
Mansour, Haithem |
| المساهمون: |
Université de Lorraine, Maloufi, Nabila, Beausir, Benoît |
| سنة النشر: |
2016 |
| المجموعة: |
theses.fr |
| مصطلحات موضوعية: |
MEB, ECCI, Diagrammes de Kikuchi, SACP, Précession du faisceau, Dislocations, Sous-joint de grain, Domaine d’ordre, Acier IF, UO2, TiAl, SEM, Kikuchi patterns, Rocking Beam, Sub-grain boundaries, Order domains, IF steel, 620.112 99, 530.411 |
| الوصف: |
La technique Imagerie par Contraste de Canalisation d'Electron (ECCI) est utilisée en microscopie électronique à balayage (MEB) pour visualiser et caractériser des défauts cristallins tels que les dislocations. L’ECCI nécessite l'orientation, avec grande précision (meilleure que 0,1°), du cristal à analyser par rapport au faisceau d’électrons pour satisfaire les conditions très strictes de canalisation d'électrons. À cause de la limitation en résolution spatiale et angulaire des techniques actuelles permettant de déterminer l’orientation cristallographique, la caractérisation des défauts cristallins par ECCI est actuellement appliquée à des monocristaux (ou des polycristaux possédant des gros grains) et les conditions de canalisation ne sont pas toujours satisfaites. Dans ce projet de thèse, un mode de balayage Précession de faisceau (Rocking Beam en anglais) a été développé dans un microscope électronique à balayage. Il permet l’acquisition de diagrammes pseudo-Kikuchi haute résolution spatiale (500nm) et angulaire (0,04°) (High Resolution Selected Area Channeling Pattern en anglais (HR-SACP)) et de contrôler les conditions de canalisations nécessaire à l’ECCI. Ceci a permis d’améliorer considérablement la précision de l’ECCI (Accurate ECCI A-ECCI) et d’élargir son domaine d’application aux matériaux polycristallins à grains fins. Dans un deuxième temps, l’A-ECCI assistée par HR-SACP a été utilisé pour caractériser des défauts cristallins (dislocations, sous joint de grain, domaine d’ordre) dans des matériaux massifs polycristallins (Acier IF, UO2, TiAl). Des procédures similaires à celles utilisées dans la microscopie électronique en transmission (MET) sont alors appliquées en s’affranchissant de la préparation fastidieuse de lames minces et en profitant des autres avantages du MEB ; Electron Channeling Contrast Imaging (ECCI) is a Scanning Electron Microscope (SEM) technique used to observe and characterize crystallographic defects. ECCI requires the crystal to be oriented relative to the electron beam with ... |
| نوع الوثيقة: |
thesis |
| اللغة: |
French |
| Relation: |
http://www.theses.fr/2016LORR0311/document |
| الاتاحة: |
http://www.theses.fr/2016LORR0311/document |
| Rights: |
Open Access ; http://purl.org/eprint/accessRights/OpenAccess |
| رقم الانضمام: |
edsbas.3202EB4F |
| قاعدة البيانات: |
BASE |